首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

IPP50CN10NG

OptiMOS2 Power-Transistor

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
零件包装代码
TO-220AB
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
29 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
最大漏极电流 (ID)
20 A
最大漏源导通电阻
0.05 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
80 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
MATTE TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
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参数对比
与IPP50CN10NG相近的元器件有:IPB50CN10NG、IPD50CN10NG、IPI50CN10NG、IPP50CN10NG_10。描述及对比如下:
型号 IPP50CN10NG IPB50CN10NG IPD50CN10NG IPI50CN10NG IPP50CN10NG_10
描述 OptiMOS2 Power-Transistor OptiMOS2 Power-Transistor OptiMOS2 Power-Transistor OptiMOS2 Power-Transistor OptiMOS2 Power-Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 -
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌) -
零件包装代码 TO-220AB D2PAK - TO-262AA -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - IN-LINE, R-PSIP-T3 -
针数 3 4 - 3 -
Reach Compliance Code compli compli - compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 -
雪崩能效等级(Eas) 29 mJ 29 mJ - 29 mJ -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 100 V 100 V - 100 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 20 A 20 A - 20 A -
最大漏极电流 (ID) 20 A 20 A - 20 A -
最大漏源导通电阻 0.05 Ω 0.05 Ω - 0.05 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB - TO-262AA -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 - R-PSIP-T3 -
JESD-609代码 e3 e3 - e3 -
湿度敏感等级 3 1 - 1 -
元件数量 1 1 - 1 -
端子数量 3 2 - 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 175 °C 175 °C - 175 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE - IN-LINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 44 W 44 W - 44 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 80 A 80 A - 80 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified -
表面贴装 NO YES - NO -
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN - MATTE TIN -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING - THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE - SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 - 40 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON -
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