IRF731,IRF731 pdf中文资料,IRF731引脚图,IRF731电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Rochester Electronics

Reach Compliance Code

unknown

外壳连接

DRAIN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

350 V

最大漏极电流 (ID)

5.5 A

最大漏源导通电阻

1 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-220AB

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

JESD-609代码

湿度敏感等级

NOT SPECIFIED

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大脉冲漏极电流 (IDM)

22 A

认证状态

COMMERCIAL

表面贴装

端子面层

TIN LEAD

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

文档预览

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参数对比

与IRF731相近的元器件有：IRF730、IRF732。描述及对比如下：

型号	IRF731	IRF730	IRF732
描述	5.5A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	4.5A, 400V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	350 V	400 V	400 V
最大漏极电流 (ID)	5.5 A	5.5 A	4.5 A
最大漏源导通电阻	1 Ω	1 Ω	1.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	22 A	22 A	18 A
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
是否无铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合
JESD-609代码	e0	-	e0
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED