首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

IRFD112

800mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Rochester Electronics

厂商官网:https://www.rocelec.com/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Rochester Electronics
Reach Compliance Code
unknown
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
0.8 A
最大漏源导通电阻
0.8 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDIP-T3
JESD-609代码
e0
湿度敏感等级
NOT SPECIFIED
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
COMMERCIAL
表面贴装
NO
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
D ts e t
aa h e
R c e t r lc r nc
o h se Ee to is
Ma u a t r dCo o e t
n fc u e
mp n n s
R c e tr b a d d c mp n ns ae
o h se rn e
o oet r
ma ua trd u ig ete dewaes
n fcue sn i r i/ fr
h
p rh s d f m te oiia s p l r
uc a e r
o h r n l u pi s
g
e
o R c e tr waes rce td f m
r o h se
fr e rae r
o
te oiia I. Al rce t n ae
h
r nl P
g
l e rai s r
o
d n wi tea p o a o teOC
o e t h p rv l f h
h
M.
P r aetse u igoiia fcoy
at r e td sn r n la tr
s
g
ts p o rmso R c e tr e eo e
e t rga
r o h se d v lp d
ts s lt n t g aa te p o u t
e t oui s o u rne
o
rd c
me t o e c e teOC d t s e t
es r x e d h
M aa h e.
Qu l yOv riw
ai
t
e ve
• IO- 0 1
S 90
•A 92 cr ct n
S 1 0 et ai
i
o
• Qu l e Ma ua trr Ls (
ai d
n fcues it QML MI- R -
) LP F
385
53
•C a sQ Mitr
ls
lay
i
•C a sVS a eL v l
ls
p c ee
• Qu l e S p l r Ls o D sr uos( L )
ai d u pi s it f it b tr QS D
e
i
•R c e trsacic l u pir oD A a d
o h se i
r ia s p l t L n
t
e
me t aln u t a dD A sa d r s
es lid sr n L tn ad .
y
R c e tr lcrnc , L i c mmi e t
o h se Ee t is L C s o
o
tdo
t
s p ligp o u t ta s t f c so r x e t-
u pyn rd cs h t ai y u tme e p ca
s
t n fr u lya daee u loto eoiial
i s o q ai n r q a t h s r n l
o
t
g
y
s p l db id sr ma ua trr.
u pi
e yn ut
y n fcues
T eoiia ma ua trr d ts e t c o a yn ti d c me t e e t tep r r n e
h r n l n fcue’ aa h e a c mp n ig hs o u n r cs h ef ma c
g
s
o
a ds e ic t n o teR c e tr n fcue v rino ti d vc . o h se Ee t n
n p c ai s f h o h se ma ua trd eso f hs e ie R c e tr lcr -
o
o
isg aa te tep r r n eo i s mio d co p o u t t teoiia OE s e ic -
c u rne s h ef ma c ft e c n u tr rd cs o h r n l M p c a
o
s
g
t n .T pc lv le aefr eee c p r o e o l. eti mii m o ma i m rt g
i s ‘y ia’ au s r o rfrn e up s s ny C r n nmu
o
a
r xmu ai s
n
ma b b s do p o u t h rceiain d sg , i lt n o s mpetsig
y e a e n rd c c aa tr t , e in smuai , r a l e t .
z o
o
n
© 2 1 R cetr l t n s LC Al i t R sre 0 1 2 1
0 3 ohs E cr i , L . lRg s eevd 7 1 0 3
e e oc
h
T l r m r, l s v iw wrcl . m
o e n oe p ae it w . e c o
a
e
s
o ec
查看更多>
参数对比
与IRFD112相近的元器件有:IRFD110、IRFD113、IRFD111。描述及对比如下:
型号 IRFD112 IRFD110 IRFD113 IRFD111
描述 800mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 1000mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 800mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 1000mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 80 V 80 V
最大漏极电流 (ID) 0.8 A 1 A 0.8 A 1 A
最大漏源导通电阻 0.8 Ω 0.6 Ω 0.8 Ω 0.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDIP-T3 R-PDIP-T3 R-PDIP-T3 R-PDIP-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
JESD-609代码 e0 - e0 e0
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子面层 TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
照明LED电源设计有关的技术书籍和资料
大家好! 现从事的是照明行业。LED灯具的,北美,高压线性方案为主。先学习更多的隔离方...
wzk198005 模拟电子
求购powerpc开发板
求购powerpc开发板 最好是PPC405型号的,QQ:429512065 手机:1517730...
乔海权 淘e淘
c51单片机C语言视频教程
单片机的C语言视频教程出售,本套光盘购于天祥电子,花了我200大元,如今我以60元(包快递)的价格...
chenggong2007 51单片机
柳传志:苹果正错失中国市场巨大商机
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:58 编辑 联想董事长柳...
探路者 移动便携
Nordic nRF54H20DK开发板开箱测评
今天收到了Nordic最新的旗舰级BLE芯片 nRF54H20的开发板,做一个简单的开箱测评。包装...
hannibalwhz RF/无线
射频电路设计技术,PPT文件
射频电路设计技术,PPT文件,学校教材来的,有需要的可以下载 射频电路设计技术,PPT文件 很不错...
ZYXWVU RF/无线
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
需要登录后才可以下载。
登录取消