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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称：SAMSUNG(三星)
厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档| 型号 | IRFR322 | IRFU322 |
|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 雪崩能效等级（Eas） | 16 mJ | 16 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 400 V | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.6 A | 2.6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 2.3 A | 2.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.5 Ω | 2.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 42 W | 42 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 50 W | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 9 A | 9 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 65 ns | 65 ns |
| 最大开启时间（吨） | 35 ns | 35 ns |
