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IRFY420-JQR-BR1

25A, 500V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：SEMELAB

器件标准：  

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SEMELAB
零件包装代码
TO-257AB
包装说明
FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (ID)
25 A
最大漏源导通电阻
0.23 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-257AB
JESD-30 代码
S-MSFM-P3
JESD-609代码
e1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
METAL
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN SILVER COPPER
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
IRFY420
Dimensions in mm (inches).
10.6 (0.42)
0.8
(0.03)
4.6 (0.18)
16.5 (0.65)
3.70 Dia. Nom
N-Channel MOSFET in
a Hermetically sealed
TO257AB Metal Package.
1.5(0.53)
10.6 (0.42)
1 2 3
12.70 (0.50 min)
V
DSS
= 500V
I
D
= 25A
R
DS(ON)
= 0.23Ω
Ω
All Semelab hermetically sealed products can be
processed in accordance with the requirements
of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and
JANS specifications.
2.54 (0.1)
BSC
1.0
(0.039)
2.70
(0.106)
TO257AB (TO220M)
PINOUTS
1 – Gate
2 – Drain
Case – Source
Parameter
V
DSS
I
D
P
D
R
DS(ON)
C
ISS
Q
g
t
td(on)
t
tr
t
td(off)
t
f
Drain – Source Breakdown Voltage
Continuous Drain Current
Power Dissipation
Static Drain – Source On–State Resistance
Input Capacitance
Total Gate Charge
Turn–On Delay Time
Rise Time
Turn–Off Delay Time
Fall Time
Min.
Typ.
Max.
500
25
300
0.23
Units
V
A
W
Ω
pF
nC
ns
ns
ns
ns
4200
210
33
140
120
99
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Generated
13-Sep-02
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参数对比
与IRFY420-JQR-BR1相近的元器件有：IRFY420R1、IRFY420-JQR-B。描述及对比如下：
型号 IRFY420-JQR-BR1 IRFY420R1 IRFY420-JQR-B
描述 25A, 500V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN 25A, 500V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN 25A, 500V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合
厂商名称 SEMELAB SEMELAB SEMELAB
零件包装代码 TO-257AB TO-257AB TO-257AB
包装说明 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 25 A 25 A 25 A
最大漏源导通电阻 0.23 Ω 0.23 Ω 0.23 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AB TO-257AB TO-257AB
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
JESD-609代码 e1 e1 -
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER -
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