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IRHY58130CMPBF

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN

器件类别:晶体管   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
包装说明
FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code
compliant
Is Samacsys
N
雪崩能效等级(Eas)
87 mJ
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
18 A
最大漏源导通电阻
0.07 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-257AA
JESD-30 代码
S-XSFM-P3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
72 A
表面贴装
NO
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与IRHY58130CMPBF相近的元器件有:IRHY57130CMPBF、IRHY57130CM、IRHY58130CM。描述及对比如下:
型号 IRHY58130CMPBF IRHY57130CMPBF IRHY57130CM IRHY58130CM
描述 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
Is Samacsys N N N N
雪崩能效等级(Eas) 87 mJ 87 mJ 87 mJ 87 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 18 A 18 A 18 A 18 A
最大漏源导通电阻 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA
JESD-30 代码 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 72 A 72 A 72 A 72 A
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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