首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

IS62WV5128BLL-55BLI

SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ISSI(芯成半导体)

厂商官网:http://www.issi.com/

器件标准:

下载文档
IS62WV5128BLL-55BLI 在线购买

供应商:

器件:IS62WV5128BLL-55BLI

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ISSI(芯成半导体)
零件包装代码
BGA
包装说明
TFBGA, BGA36,6X8,30
针数
36
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
Factory Lead Time
8 weeks
最长访问时间
55 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PBGA-B36
JESD-609代码
e1
长度
8 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
36
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
512KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装等效代码
BGA36,6X8,30
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3/3.3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大待机电流
0.000015 A
最小待机电流
1.2 V
最大压摆率
0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.5 V
标称供电电压 (Vsup)
2.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.75 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
6 mm
参数对比
与IS62WV5128BLL-55BLI相近的元器件有:IS62WV5128BLL-55HLI、IS62WV5128BLL-55BLI-TR、IS62WV5128BLL-55HLI-TR、IS62WV5128BLL-55TLI-TR、IS62WV5128BLL-55QLI。描述及对比如下:
型号 IS62WV5128BLL-55BLI IS62WV5128BLL-55HLI IS62WV5128BLL-55BLI-TR IS62WV5128BLL-55HLI-TR IS62WV5128BLL-55TLI-TR IS62WV5128BLL-55QLI
描述 SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM SRAM 4M (512Kx8) 55ns Async SRAM
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 - 符合
零件包装代码 BGA TSOP1 - TSOP1 - SOIC
包装说明 TFBGA, BGA36,6X8,30 TSOP1, TSSOP32,.56,20 - TSOP1, - SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code compliant compliant - compliant - compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991 - 3A991.B.2.A - 3A991
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks - 8 weeks - 8 weeks
最长访问时间 55 ns 55 ns - 55 ns - 55 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B36 R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32
JESD-609代码 e1 e3 - e3 - e3
长度 8 mm 11.8 mm - 11.8 mm - 20.445 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit - 4194304 bit - 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 - 8 - 8
湿度敏感等级 3 3 - 3 - 3
功能数量 1 1 - 1 - 1
端子数量 36 32 - 32 - 32
字数 524288 words 524288 words - 524288 words - 524288 words
字数代码 512000 512000 - 512000 - 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C - 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C - -40 °C
组织 512KX8 512KX8 - 512KX8 - 512KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TSOP1 - TSOP1 - SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL - PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 - 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.25 mm - 1.25 mm - 3 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V - 3.6 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V - 2.5 V - 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.8 V 2.8 V - 2.8 V - 2.8 V
表面贴装 YES YES - YES - YES
技术 CMOS CMOS - CMOS - CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Matte Tin (Sn) - annealed - Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 BALL GULL WING - GULL WING - GULL WING
端子节距 0.75 mm 0.5 mm - 0.5 mm - 1.27 mm
端子位置 BOTTOM DUAL - DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 - 40 - 40
宽度 6 mm 8 mm - 8 mm - 11.305 mm
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
需要登录后才可以下载。
登录取消