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IXFQ50N60P3

MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:IXYS ( Littelfuse )

厂商官网:http://www.ixys.com/

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器件:IXFQ50N60P3

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器件参数
参数名称
属性值
Product Attribute
Attribute Value
制造商
Manufacturer
IXYS ( Littelfuse )
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-3P-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Id - Continuous Drain Current
50 A
Rds On - Drain-Source Resistance
145 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Qg - Gate Charge
94 nC
Configuration
Single
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1040 W
系列
Packaging
Tube
Transistor Type
1 N-Channel
Forward Transconductance - Min
55 S, 32 S
Fall Time
17 ns
NumOfPackaging
1
Rise Time
20 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30
单位重量
Unit Weight
0.056438 oz
参数对比
与IXFQ50N60P3相近的元器件有:IXFT50N60P3。描述及对比如下:
型号 IXFQ50N60P3 IXFT50N60P3
描述 MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
IXYS ( Littelfuse ) IXYS ( Littelfuse )
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET
RoHS Details Details
技术
Technology
Si Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-3P-3 TO-268-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V 600 V
Id - Continuous Drain Current 50 A 50 A
Rds On - Drain-Source Resistance 145 mOhms 145 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V 5 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V 30 V
Qg - Gate Charge 94 nC 94 nC
Configuration Single Single
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1040 W 1040 W
系列
Packaging
Tube Tube
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel
Forward Transconductance - Min 55 S, 32 S 55 S, 32 S
Fall Time 17 ns 17 ns
Rise Time 20 ns 20 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30 30
单位重量
Unit Weight
0.056438 oz 0.229281 oz
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供大家参考 此内容由EEWORLD论坛网友 zjqmyron 原创,如需转载或用于商业用...
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