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IXFT50N60P3

MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

器件类别：半导体    分立半导体   

厂商名称：IXYS ( Littelfuse )

厂商官网：http://www.ixys.com/

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IXFT50N60P3 在线购买

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器件：IXFT50N60P3

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器件参数
参数名称
属性值
Product Attribute
Attribute Value
制造商
Manufacturer
IXYS ( Littelfuse )
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-268-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Id - Continuous Drain Current
50 A
Rds On - Drain-Source Resistance
145 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Qg - Gate Charge
94 nC
Configuration
Single
系列
Packaging
Tube
Transistor Type
1 N-Channel
Forward Transconductance - Min
55 S, 32 S
Fall Time
17 ns
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1040 W
Rise Time
20 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30
单位重量
Unit Weight
0.229281 oz
参数对比
与IXFT50N60P3相近的元器件有：IXFQ50N60P3。描述及对比如下：
型号 IXFT50N60P3 IXFQ50N60P3
描述 MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer		 IXYS ( Littelfuse ) IXYS ( Littelfuse )
产品种类
Product Category		 MOSFET MOSFET
RoHS Details Details
技术
Technology		 Si Si
安装风格
Mounting Style		 SMD/SMT Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case		 TO-268-3 TO-3P-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V 600 V
Id - Continuous Drain Current 50 A 50 A
Rds On - Drain-Source Resistance 145 mOhms 145 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V 5 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V 30 V
Qg - Gate Charge 94 nC 94 nC
Configuration Single Single
系列
Packaging		 Tube Tube
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel
Forward Transconductance - Min 55 S, 32 S 55 S, 32 S
Fall Time 17 ns 17 ns
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation		 1040 W 1040 W
Rise Time 20 ns 20 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		 30 30
单位重量
Unit Weight		 0.229281 oz 0.056438 oz
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