IXFX80N10Q,IXFX80N10Q pdf中文资料,IXFX80N10Q引脚图,IXFX80N10Q电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与IXFX80N10Q相近的元器件有：IXFX52N30Q、IXFH13N90Q、IXFX16N90Q。描述及对比如下：

型号	IXFX80N10Q	IXFX52N30Q	IXFH13N90Q	IXFX16N90Q
描述	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS247, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 900V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS247, 3 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS
包装说明	PLUS247, 3 PIN	IN-LINE, R-PSIP-T3	TO-247AD, 3 PIN	PLUS247, 3 PIN
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	300 V	900 V	900 V
最大漏极电流 (ID)	80 A	52 A	13 A	16 A
最大漏源导通电阻	0.015 Ω	0.06 Ω	0.9 Ω	0.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	FLANGE MOUNT	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-

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想要走好物联网发展之路，这几块“顽石”还需扫除

“工业互联网的拓展”、“实现工业4.0 的必经之路”、“信息化发展的必然”……随着制造行业对于物联网的普遍关注，对于物联网的描述也越来越“无所不能”，但即便发展趋势显而易见，有能力准确把握这一机遇的企业并不多。今天我们就来看一看，在工业物联网发展之路上，有哪些亟待解决的问题。智能硬件“会说话” 物联网系统能够实现不同设备的互联，但对于智能制造来说，仅仅连接是不够的，“对话”才是...[详细]
科技巨头：要么转向专用计算，要么灭亡

如果您像我一样在过去 25 年一直关注高科技的发展，您可能也感觉到其变化的速度正在日益加快。虽然我不是“Singularity”操作系统的铁杆粉丝，但显而易见，如果我们能在当今技术的基础上进一步开发新的技术，那么技术的更迭必将更快，这就像存款的复合式增长一样。佐证这个趋势的证据随处可见，Facebook和智能手机就是最好的例子。 5年前，Facebook的活跃用户仅为1亿，而今年这一...[详细]
芯片巨头ARM进军工业物联网领域

　　软银集团(Softbank)CEO 孙正义有很多疯狂的想法。他认为智商超过 10000 的机器人将在 30 年内超过人类。他还考虑过将软银私有化，如果付诸行动，这将是历来最大的杠杆收购。他曾经在 45 分钟内筹集了 450 亿美元的投资资金。他甚至在手握一个 Vision Fund 的时候，计划启动第二个破纪录的 Vision Fund。这一系列疯狂的想法往往会导致一触即发的巨额交易，以速度...[详细]
无线网络兴起台湾MCU供应商掌握新商机

由于具有体积小、可置于仪表内部、内存容量小、输入输出接口简单等特点，微控制器(MCU)产品应用相当多元且范围广泛，通讯、汽车、消费电子与工业控制等领域皆可见其身影。据iSuppli预测，2012年全球微控制器市场将从2007年的24亿美元增长到36亿美元。与国际微控制器大厂多提供全产品系列，以满足各种应用需求不同，台湾地区微控制器供应商多针对特定应用进行开发。整体而言，近年来随着消费电子市场...[详细]
PC/104总线与TMS320VC5402 HPI口通信的解决方案

摘要：介绍了TI公司信号处理芯片TMS320VC5402 HPI（主机接口）的结构及主要特点，提出了HPI接口与PC/104总线进行通信连接的设计方案。该方案充分利用DSP的HPI接口功能，实现了主机实时读/写DSP任意片内存储单元的内容。关键词：DSP HPI PC/104 TMS320VC5402（以下简称C5402）是德州仪器公司（TI）推出的性价比极高的定点数字信号处理器（DSP）...[详细]
博世中国2017年业绩取得两位数强劲增长

持续在华投资，加速转型成为领先的物联网公司 „中国依然是博世集团除德国以外的最大单一市场 „成立新业务单元，加速物联网战略落地中国 „中国改革开放，博世携手本土市场共成长上海——全球领先的技术与服务供应商博世今日宣布，集团2017年在华业绩创下新高，销售额首次突破千亿，达到1,134亿元人民币（约合149亿欧元），实现了近24%的大幅增长。出色的业绩为博世转型创新，...[详细]
模拟电源仍是市场主流

公司提供DC/DC升压和降压、LDO、电压检测、LED驱动等电源管理产品。　　目前，市场应用对电源管理芯片提出以下几方面要求：一是要有足够的驱动能力；二是效率高；三是可靠性和低成本，低成本非常重要。未来市场可能对EMI(抗电磁干扰)和噪声方面提出更高的要求。数字电源是目前一个很热门的话题，其有很多优点：一是在线可编程性，可以很快地实现客户定制；二是可以减少产品的开发成本和上市时间；三是有更高...[详细]
高通销售增速放缓在低端市场毫无竞争力

对于喜欢移动板块股票的投资者来说，高通一直是不错的投资对象，但笔者认为，现在投资者应当卖出高通股票了。原因是，除在低端市场竞争外，高通在推动未来增长方面几乎无计可施。英特尔也对低端市场有相当的兴趣。本财年，高通的销售增速已明显放慢，未来情况也不会有大的改观。英特尔在移动和数据中心领域的前景很好，制定了更大规模的资本回报计划，以增加对投资者的吸引力。这使得笔者认为投资者应当买进英特尔、卖出高通...[详细]
Samtec mPOWER超微型电源连接器贸泽开售

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Samtec的mPOWER™超微型电源连接器系统。mPOWER连接器具有2 mm 间距和每刀片高达21 A的额定电流，是设计灵活的微型高功率解决方案，适用于单电源或电源/信号混合应用。贸泽备货的Samtec mPOWER连接器系统采用镀金电源刀片，与其他21 A解决方案相比...[详细]
苹果华为均将导入，3D感测人脸识别受关注

电子网消息，苹果新一代iPhone预料将有3D感测功能以进行人脸识别，华为据传将推出的Mate 10也搭载3D感测系统。随智能手机在生物识别、扩增现实（AR）等应用更多元，对3D感测需求增加，可望带动3D感测族群新一波出货高峰。由于外传新一代iPhone将取消Home键，在屏幕上进行指纹识别的技术又尚难克服，加上苹果2013年并购PrimeSense获得3D感测技术，新一代iPhone采用3D...[详细]
示波器的带宽技术指标

带宽是大多数工程师选择示波器时首先考虑的技术指标。如图下所示，所有示波器都会在较高频率时出现低通频率响应衰减。大多数带宽技术指标在 1 GHz 及以下的示波器通常会出现高斯响应，并在 -3 dB 频率的三分之一处表现出缓慢下降特征。而带宽技术指标大于 1 GHz 的示波器通常拥有最大平坦频率响应。这类响应通常在 -3 dB 频率附近显示出具有更尖锐下降特征、更为平坦的带内响应（如下图所示...[详细]
摩尔定律能“活”到2025年以后中国半导体赶超有望

　　在摩尔定律依然延续的今天，中国IC制造工艺与世界先进工艺如何缩小，这是不得不思考的问题。IMEC中国区总裁丁辉文近日指出，半导体工艺尺寸的缩小和摩尔定律仍能持续发展到2025年以后，中国半导体若能善用国际和国内资源，有机会在各领域赶超世界先进水平。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。　　多元化应用需要多元化半导体技术　　丁辉文认为，讲摩尔定律，其实首先是应用推动...[详细]
黄仁勋：ARM将埋葬传统x86 PC

自己得不到x86架构技术，NVIDIA对其恨之入骨也是情理之中。黄仁勋近日就表示，随着智能手机和平板机冲击传统x86 PC产业，ARM最终也会击垮Intel。黄仁勋在GTC 2010大会上接受采访时，一边拿着自己的智能手机一边说：“可以预料的是，未来的个人计算机就会这么大。某天可以为之加上无线HDMI，它就变成了你的机顶盒。” 接着他又补充说：“ 未来的PC将由新的OEM厂...[详细]
通用照明将是未来半导体照明市场最大的部分

通用照明包括室内照明和室外照明两大类。这两类应用都要求灯具具有高发光效率、长寿命、环保等特性，其主要差别在于室内照明光源对照明效果和品质（包括显色性、色品一致性、光源的出射度和均匀性、人眼舒适性等）有较高的要求，且其面向的消费群体对灯具价格更敏感。另一方面，蓝光芯片的发光效率的优势有待进一步提高且受限于白光LED的封装技术，目前的半导体照明灯具大多为高色温冷白光，加之色品一致性与传统...[详细]
红外数字体温计的设计挑战及器件选型

由于具有速度、精度、效率和成本优势，红外(IR)数字温度计已经取代传统的水银体温计。耳部数字体温计利用热电堆传感器测量耳膜散发的红外热量，该热量反映了视丘下部的温度。热电堆红外传感器由多个热电偶串联组成。每个热电偶由两种不同的金属组成，当结温不同时便产生一个电压。热电偶位于热电堆的热区和冷区。结点的冷端与温度稳定体焊接在一起，因此与环境温度隔离。结点的热端暴露在耳膜的入射辐射下。为了提供有效的...[详细]