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J211

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-226AA

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：InterFET

厂商官网：http://www.interfet.com/

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供应商：

器件：J211

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
InterFET
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code
unknow
配置
SINGLE
FET 技术
JUNCTION
JEDEC-95代码
TO-226AA
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.35 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
B-56
01/99
J210, J211
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
¥ Audio Amplifiers
¥ General Purpose Amplifiers
Absolute maximum ratings at T
A
= 25¡C
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage
Continuous Forward Gate Current
Continuous Device Power Dissipation
Power Derating
– 25 V
10 mA
360 mW
3.27 mW/°C
At 25°C free air temperature:
Static Electrical Characteristics
Gate Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate Operating Current
Gate Source Cutoff Voltage
Drain Saturation Current (Pulsed)
Dynamic Electrical Characteristics
Common Source Forward
Transconductance
Common Source Output Conductance
Common Source Input Capacitance
Common Source Reverse
Transfer Capacitance
Equivalent Short Circuit Input
Noise Voltage
g
fs
g
os
C
iss
C
rss
e
N
¯
V
(BR)GSS
I
GSS
I
G
V
GS(OFF)
I
DSS
J210
Min
– 25
– 100
– 10
–1
2
–3
15
– 2.5
7
Typ
Max
Min
– 25
J211
Typ
Max
Unit
V
– 100
– 10
– 4.5
20
pA
pA
V
mA
Process NJ26L
Test Conditions
I
G
= – 1µA, V
DS
= ØV
V
GS
= – 15V, V
DS
= ØV
V
DS
= 20V, I
D
= 1 mA
V
DS
= 15V, I
D
= 1 nA
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
4000
12000 6000
150
4
1
10
4
1
10
12000
200
µS
µS
pF
pF
nV/√Hz
V
DS
= 15V, V
GS
= Ø V
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
f = 1 kHz
f = 1 kHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 kHz
TOÐ226AA Package
Dimensions in Inches (mm)
Surface Mount
SMPJ210, SMPJ211
Pin Configuration
1 Drain, 2 Source, 3 Gate
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042
(972) 487-1287
FAX
(972) 276-3375
www.interfet.com
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参数对比
与J211相近的元器件有：SMPJ211、J210。描述及对比如下：
型号 J211 SMPJ211 J210
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-226AA
厂商名称 InterFET InterFET InterFET
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION
JEDEC-95代码 TO-226AA TO-236 TO-226AA
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 R-PDSO-G3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR ROUND
封装形式 CYLINDRICAL SMALL OUTLINE CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES NO
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM DUAL BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W - 0.35 W
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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