K7D161871M-HC37,K7D161871M-HC37 pdf中文资料,K7D161871M-HC37引脚图,K7D161871M-HC37电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与K7D161871M-HC37相近的元器件有：K7D161871M-HC30、K7D161871M-HC40、K7D163671M-HC30、K7D163671M-HC33、K7D163671M-HC37、K7D163671M-HC40、K7D161871M-HC33。描述及对比如下：

型号	K7D161871M-HC37	K7D161871M-HC30	K7D161871M-HC40	K7D163671M-HC30	K7D163671M-HC33	K7D163671M-HC37	K7D163671M-HC40	K7D161871M-HC33
描述	DDR SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 1MX18, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 1MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50
针数	153	153	153	153	153	153	153	153
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	1.7 ns	1.9 ns	1.6 ns	1.9 ns	1.7 ns	1.7 ns	1.6 ns	1.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	370 MHz	303 MHz	400 MHz	303 MHz	333 MHz	370 MHz	400 MHz	333 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM
内存宽度	18	18	18	36	36	36	36	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	153	153	153	153	153	153	153	153
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	512000	512000	512000	512000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX18	1MX18	1MX18	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm
最小待机电流	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
最大压摆率	0.8 mA	0.62 mA	0.9 mA	0.67 mA	0.75 mA	0.85 mA	0.95 mA	0.7 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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多样化手机设计需要恰当的SoC与SiP混合

“单芯片手机”的概念是指利用行业标准的工艺技术和传统硅集成趋势将手机功能整合在一块裸片上。但对于蜂窝电话和其它无线产品，这并非一个简单的建议。在这些产品中，模拟、射频、数字与混合信号等平等的部分必须一起工作才能实现系统级解决方案。不过，在采用极少的器件实现所有手机功能模块方面，业界已经取得了很大的进展。现在，我们似乎有望见到期待已久的系统级芯片(SoC)手机。但是我们还要考虑这意味着什么，它...[详细]
选择正确的仪器加速RF器件测试的方法

　　对所有电子元件的生产而言测试速度都是非常重要的，在RF测试能够进行之前，必须测试这些器件的直流工作状态。对于二极管来说，这包括正向压降、反响击穿电压和结漏电流，而对于三极管，还包括不同的结击穿电压、结漏电流、集电极或漏极特性等。本文探讨了通过选择正确的测试仪器以及适当地设定来加速这些测试的方法。　　对所有的电子元件的制造商而言，测试速度都是很重要的，而对于低价格的二、三引脚元件如二、...[详细]
长沙市长胡衡华考察耐普恩：用超级电容带动光伏产业跨越式发展

上图左二为长沙市委副书记、市长胡衡华　　6月25日上午，长沙市委副书记、市长胡衡华率市政府秘书长、办公厅党组书记谭勇、长沙经开区党工委副书记、管委会主任李科明及市发改委、经信委、市政府研究室等部门领导来我司考察。他对超级电容作为储能元件的优势特性表示高度肯定，希望耐普恩抓好机遇大力发展节能环保产业。　　上午10点，胡衡华市长一行来到我司，参观了超级电容生产线，胡市...[详细]
Kiekert开发LED门锁，提高可视化安全性

汽车闭锁系统的行业技术的引领者-Kiekert股份有限公司已成功开发出一款LED门锁，首次将安全部件“闭锁系统”和门锁里面的“警告灯”融为一体。从20世纪20年代初安全带在赛车比赛中的初次使用，到80年代安全气囊被汽车生产厂家逐渐接受，再到如今车门安全锁的不断升级和优化，人们愈来愈重视汽车驾驶本身的安全性，以及在驾驶中对他人带来的的安全。根据中国汽车技术研究中心的调查报告显示，中国汽车市...[详细]
vivo NEX曝光：配备升降式摄像头

5月26日，网上曝光了vivo NEX的宣传海报。如图所示，vivo NEX被定义为“AI智慧旗舰”，该机拥有极高的屏占比，顶部配备了隐藏式摄像头。　　这种设计在vivo APEX概念机上就曾使用过，摄像头隐藏于机身顶端，通过拍照App控制升降启动，用时升起拍照，不用时降下复位。　　配置方面，根据此前曝光的消息，vivo NEX搭载的是高通骁龙845处理器，这颗芯片基于先进的10...[详细]
成本速度成关键解析四种宽带接入技术

尽管前几年曾出现DDN专线、ISDN等多种网络接入方式，但由于成本和速率等多方面的原因一直未能成功普及。现在宽带上网方式较多，目前大家可考虑的宽带接入方式主要包括四种——电信ADSL、FTTX+LAN(小区宽带)、有线电视的Cable Modem (有线通)以及电力上网，这四种宽带接入方式在安装条件、所需设备、数据传输速率和相关费用等多方面都有很大不同，直接决定了不同的宽带接入方式适合不同的用户...[详细]
贸泽电子祝贺睿柏林车队2014WEC圣保罗站完美收官

2014年12月9日－半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与授权分销商贸泽电子（Mouser Electronics）宣布，祝贺其赞助的睿柏林车队（REBELLION RACING）在11月30日结束的本赛季国际汽联世界耐力锦标赛(WEC)圣保罗站中再次包揽LMP1-L组冠亚军，为WEC 2014赛季画上圆满句号。至此，睿柏林车队在已经在WEC世锦赛上获得了8次LMP1-L组别的胜利。 ...[详细]
分析：入侵探测技术的发展及应用现状

前言：在数字化和网络化趋势的双重驱动下，周界安防入侵探测装置也迎来了全新的变革和突破。一方面通过智能算法的应用，极大的改善了设备漏报误报的情况，另一方面基于全网络化的架构，降低了工程施工的复杂程度和成本。本文将围绕着目前入侵探测技术在数字化和网络化方面实现的双向突破展开相关探讨！　　入侵探测器作为有效防范入侵行为的电子装置，在周界安防系统中拥有广泛的应用，按照探测技术的类型划分，目...[详细]
一种智能高频开关电源监控模块的设计

自90年代以来，国家电信部门对通信设备的网络化管理要求逐步加快，要求组成通信网络的各种设备都必须具备智能化和通信的能力，电源设备也不例外。计算机技术的应用，使通信电源成为集计算技术、控制技术、通信技术于一体的高科技产品，使产品的性能、功能大大提高，从而可实现系统的自动测试、自动诊断、自动控制，实现电源系统的遥信、遥测、遥控。因此，高频开关电源也进入了智能化控制阶段。本文设计实现了一种智能高频开...[详细]
AC-DC电源的设计

1、输入整流滤波单元本设计电源的输入电压是50Hz交流电压85～265Vac，需要整流成直流再参与变换。最简单的方法是整流桥整流，50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动直流电压，再通过输入滤波电容得到直流高压。 1)整流桥的选择整流桥的主要参数有反向峰值电压VRR(V)，正向压降VF(V)，平均整流电流IF(A)，正向峰值浪涌电流IFSM(A)，最大反向漏电流IRM(μA)。整流桥...[详细]
5G技术落地电网运营典型应用场景

当前，以人工智能、量子技术、移动通信、区块链、边缘计算、物联网为代表的新一代信息技术加速突破应用，互联网与传统产业跨界融合成为发展新趋势。5G技术从试验向商用阶段迈进，一道打开的闸门激发了产业界实质性参与建设的积极性，也给各行各业带来了转型发展的无限可能。这是一场关于“连接”的革命。5G技术毫秒级时延、超高密度连接、超高速率和超大带宽的“杀手级”特性，恰好切中了物联网发展中时延过高、功率...[详细]
如何控制51单片机的引脚

控制单片机的引脚，分为两个知识点，一个是怎么让引脚单片机输出高低电平，一个是怎么检测接入到引脚上的电平是高还是低。我们有时候会听到这样的话：“此单片机有几个IO口？”这里说的IO口，就是输入（input）输出（output）接口。一般情况下，单片机的引脚当中，除了电源引脚和晶振引脚，其它的都是IO口。当我们控制单片机的引脚高低时，我们把引脚当做输出引脚;当我们需要检测连接到单片机引脚上的电平时，...[详细]
Mouser对EPCOS的授权分销拓展至全球

Mouser对EPCOS的授权分销拓展至全球　Mouser 今日宣布，Mouser 的EPCOS授权分销区域拓展至亚洲和欧洲。从2009年10月开始，EPCOS与TDK公司联合成立了新的TDK-EPC公司(简称TDK-EPC)，销售旗下TDK和EPCOS品牌产品。是TDK-EPC公司是电子元件、模块和系统领域的全球性的公司。　　TDK-EPC产品组合包括陶瓷、铝电解和薄膜电容器、铁氧...[详细]
深南电路：看好数据中心并重点发展，目前订单占比提升

近日，深南电路在接受机构调研时表示，数据中心是公司看好并重点发展的领域之一。从 PCB 供给端来看，目前 Whitley 平台产品订单量的比重有所增加。对于原材料上涨，深南电路称，公司近期部分原材料价格上涨。公司将通过持续开展自动化改造、专业产品线建设、优化设计等方式不断提升生产运营效率，提升工艺水平，节省成本，改善公司毛利率水平；另一方面，公司会加强与供应商、客户的沟通协商，共同面对材料价...[详细]
变比组别测试仪的相关功能都有哪些

在电力变压器的半成品、成品生产过程中，新安装的变压器投入运行之前以及根据国网的预防性试验规程，要求对运行的变压器定期进行匝数比或电压比测试。传统的变比电桥操作繁琐，读数不直观，且要进行必要的换算，测试结果只为一相变比的值。本TKBB变压器变比测试仪克服了传统变比电桥测试的缺点，屏幕采用了大屏幕高分辨率液晶显示屏，方便现场使用，具有中文菜单提示功能，操作简便直观，一次完成三相变比测试，测试速度快，...[详细]