K7D163671M-HC33,K7D163671M-HC33 pdf中文资料,K7D163671M-HC33引脚图,K7D163671M-HC33电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与K7D163671M-HC33相近的元器件有：K7D161871M-HC30、K7D161871M-HC40、K7D163671M-HC30、K7D163671M-HC37、K7D163671M-HC40、K7D161871M-HC33、K7D161871M-HC37。描述及对比如下：

型号	K7D163671M-HC33	K7D161871M-HC30	K7D161871M-HC40	K7D163671M-HC30	K7D163671M-HC37	K7D163671M-HC40	K7D161871M-HC33	K7D161871M-HC37
描述	DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 1MX18, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 1MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50
针数	153	153	153	153	153	153	153	153
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	1.7 ns	1.9 ns	1.6 ns	1.9 ns	1.7 ns	1.6 ns	1.7 ns	1.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	303 MHz	400 MHz	303 MHz	370 MHz	400 MHz	333 MHz	370 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM
内存宽度	36	18	18	36	36	36	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	153	153	153	153	153	153	153	153
字数	524288 words	1048576 words	1048576 words	524288 words	524288 words	524288 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	512000	1000000	1000000	512000	512000	512000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX36	1MX18	1MX18	512KX36	512KX36	512KX36	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm
最小待机电流	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
最大压摆率	0.75 mA	0.62 mA	0.9 mA	0.67 mA	0.85 mA	0.95 mA	0.7 mA	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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中兴手机新掌门新思维：加强电商砍掉一半机型

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Windows Embedded背景信息

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基于分时一相位控制串联谐振逆变器的研究

0 引言感应加热电源利用电磁感应原理，通过感应线圈在被加热的工件中产生涡流，对工件进行加热。感应加热具有加热速度快，加热效率高，温度易于控制，容易实现自动化等诸多优点，因而在现代工业生产中得到越来越广泛的应用，感应加热技术也日趋成熟。针对IGBT开关损耗小，通断速度快，工作频率较高，元件容量大且其成本逐渐降低等优点，选用IGBT作为功率开关管。但是IGBT的开关损耗，尤其是拖尾电流在高频...[详细]
巨蟹座版的众泰SR7被赋予“新魔方”的百变概念

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CANDT测试项之总线输入电压限值测试解读

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