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KFG1G16U2C-AIB6T

EEPROM Card, 64MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PBGA63

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
包装说明
FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code
compliant
最长访问时间
70 ns
命令用户界面
YES
数据轮询
NO
JESD-30 代码
R-PBGA-B63
JESD-609代码
e1
内存密度
1073741824 bit
内存集成电路类型
EEPROM CARD
内存宽度
16
湿度敏感等级
3
部门数/规模
1K
端子数量
63
字数
67108864 words
字数代码
64000000
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64MX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FBGA
封装等效代码
BGA63,10X12,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小
1K words
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3/3.3 V
编程电压
2.7 V
认证状态
Not Qualified
就绪/忙碌
YES
部门规模
64K
最大待机电流
0.00008 A
最大压摆率
0.065 mA
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
NO
类型
NAND TYPE
Base Number Matches
1
参数对比
与KFG1G16U2C-AIB6T相近的元器件有:KFG1G16U2C-AIB60、KFG1G16U2C-DIB6T、KFG1G16U2C-DIB60。描述及对比如下:
型号 KFG1G16U2C-AIB6T KFG1G16U2C-AIB60 KFG1G16U2C-DIB6T KFG1G16U2C-DIB60
描述 EEPROM Card, 64MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PBGA63 Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, FBGA-63 EEPROM Card, 64MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PBGA63 Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, FBGA-63
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 FBGA, BGA63,10X12,32 VFBGA, BGA63,10X12,32 FBGA, BGA63,10X12,32 VFBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 70 ns 76 ns 70 ns 76 ns
命令用户界面 YES YES YES YES
数据轮询 NO NO NO NO
JESD-30 代码 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 EEPROM CARD FLASH EEPROM CARD FLASH
内存宽度 16 16 16 16
部门数/规模 1K 1K 1K 1K
端子数量 63 63 63 63
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000 64000000
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 64MX16 64MX16 64MX16 64MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA VFBGA FBGA VFBGA
封装等效代码 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小 1K words 1K words 1K words 1K words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 225 NOT SPECIFIED
电源 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V
编程电压 2.7 V 3.3 V 2.7 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES YES YES
部门规模 64K 64K 64K 64K
最大待机电流 0.00008 A 0.00008 A 0.00008 A 0.00008 A
最大压摆率 0.065 mA 0.065 mA 0.065 mA 0.065 mA
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 NO NO NO NO
类型 NAND TYPE NAND TYPE NAND TYPE SLC NAND TYPE
JESD-609代码 e1 e1 e3 -
湿度敏感等级 3 3 1 -
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) MATTE TIN -
Base Number Matches 1 1 1 -
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