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KM23C8000H-10

MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP32,.6
针数
32
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
100 ns
JESD-30 代码
R-PDIP-T32
JESD-609代码
e0
长度
41.91 mm
内存密度
8388608 bit
内存集成电路类型
MASK ROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP32,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最大待机电流
0.00005 A
最大压摆率
0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
15.24 mm
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参数对比
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型号 KM23C8000H-10 KM23C8000HG-10 KM23C8000H-15 KM23C8000HG-12 KM23C8000HG-15 KM23C8000H-12
描述 MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP SOIC DIP SOIC SOIC DIP
包装说明 DIP, DIP32,.6 SOP, SOP32,.56 DIP, DIP32,.6 SOP, SOP32,.56 SOP, SOP32,.56 DIP, DIP32,.6
针数 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 100 ns 100 ns 150 ns 120 ns 150 ns 120 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T32 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 41.91 mm 20.47 mm 41.91 mm 20.47 mm 20.47 mm 41.91 mm
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP DIP SOP SOP DIP
封装等效代码 DIP32,.6 SOP32,.56 DIP32,.6 SOP32,.56 SOP32,.56 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 3 mm 5.08 mm 3 mm 3 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 11.43 mm 15.24 mm 11.43 mm 11.43 mm 15.24 mm
厂商名称 SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
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