KM23C8000HG-12,KM23C8000HG-12 pdf中文资料,KM23C8000HG-12引脚图,KM23C8000HG-12电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与KM23C8000HG-12相近的元器件有：KM23C8000HG-10、KM23C8000H-15、KM23C8000HG-15、KM23C8000H-10、KM23C8000H-12。描述及对比如下：

型号	KM23C8000HG-12	KM23C8000HG-10	KM23C8000H-15	KM23C8000HG-15	KM23C8000H-10	KM23C8000H-12
描述	MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32	MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32	MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32	MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SOIC	SOIC	DIP	SOIC	DIP	DIP
包装说明	SOP, SOP32,.56	SOP, SOP32,.56	DIP, DIP32,.6	SOP, SOP32,.56	DIP, DIP32,.6	DIP, DIP32,.6
针数	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	100 ns	150 ns	150 ns	100 ns	120 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20.47 mm	20.47 mm	41.91 mm	20.47 mm	41.91 mm	41.91 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	DIP	SOP	DIP	DIP
封装等效代码	SOP32,.56	SOP32,.56	DIP32,.6	SOP32,.56	DIP32,.6	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3 mm	3 mm	5.08 mm	3 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A
最大压摆率	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	11.43 mm	11.43 mm	15.24 mm	11.43 mm	15.24 mm	15.24 mm
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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