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KTA1042L-O

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:KEC

厂商官网:http://www.keccorp.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
KEC
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
5 A
集电极-发射极最大电压
100 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
70
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
20 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
30 MHz
参数对比
与KTA1042L-O相近的元器件有:KTA1042D-Y-RTF/P、KTA1042D-Y、KTA1042D-O、KTA1042L-Y。描述及对比如下:
型号 KTA1042L-O KTA1042D-Y-RTF/P KTA1042D-Y KTA1042D-O KTA1042L-Y
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3 额定功率:20W 集电极电流Ic:5A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP PNP,100V,5A Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3
厂商名称 KEC - KEC KEC KEC
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 - DPAK-3 DPAK-3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 - 3 3 3
Reach Compliance Code unknown - unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 5 A - 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 100 V - 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 70 - 120 70 120
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 - 1 1 1
端子数量 3 - 2 2 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 PNP - PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 20 W - 20 W 20 W 20 W
表面贴装 NO - YES YES NO
端子形式 THROUGH-HOLE - GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz - 30 MHz 30 MHz 30 MHz
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