首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

KTA1385L-O

Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, IPAK-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:KEC

厂商官网:http://www.keccorp.com/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
KEC
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
5 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
160
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
15 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
3500 ns
最大开启时间(吨)
1000 ns
Base Number Matches
1
参数对比
与KTA1385L-O相近的元器件有:KTA1385L-Y。描述及对比如下:
型号 KTA1385L-O KTA1385L-Y
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, IPAK-3 Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, IPAK-3
厂商名称 KEC KEC
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 160 200
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 3500 ns 3500 ns
最大开启时间(吨) 1000 ns 1000 ns
Base Number Matches 1 1
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
需要登录后才可以下载。
登录取消