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LPC824M201JHI33E

工作电压:1.8V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M0+ 主频(MAX):30MHz ROM类型:FLASH 3路UART的32位ARM Cortex-M0+微控制器;32 kB闪存和8 kB SRAM,12位ADC,IO矩阵

器件类别:嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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LPC824M201JHI33E 在线购买

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器件:LPC824M201JHI33E

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
NXP Semiconductor
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
QFN
包装说明
HVQCCN,
针数
32
制造商包装代码
SOT617-3
Reach Compliance Code
compliant
具有ADC
YES
其他特性
SEATED HGT-NOM
地址总线宽度
位大小
32
最大时钟频率
25 MHz
DAC 通道
NO
DMA 通道
YES
外部数据总线宽度
JESD-30 代码
S-PQCC-N33
长度
5 mm
湿度敏感等级
3
I/O 线路数量
29
端子数量
33
片上程序ROM宽度
8
最高工作温度
105 °C
最低工作温度
-40 °C
PWM 通道
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
HVQCCN
封装形状
SQUARE
封装形式
CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
260
RAM(字节)
8192
ROM(单词)
32768
ROM可编程性
FLASH
座面最大高度
0.85 mm
速度
30 MHz
最大供电电压
3.6 V
最小供电电压
1.8 V
标称供电电压
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.5 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型
MICROCONTROLLER, RISC
Base Number Matches
1
参数对比
与LPC824M201JHI33E相近的元器件有:935304008518、935304008551。描述及对比如下:
型号 LPC824M201JHI33E 935304008518 935304008551
描述 工作电压:1.8V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M0+ 主频(MAX):30MHz ROM类型:FLASH 3路UART的32位ARM Cortex-M0+微控制器;32 kB闪存和8 kB SRAM,12位ADC,IO矩阵 32-BIT, FLASH, 30MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQCC33 32-BIT, FLASH, 30MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQCC33
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 HVQCCN, 5 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-220, HVQFN-33 HVQCCN,
Reach Compliance Code compliant compliant unknown
具有ADC YES YES YES
其他特性 SEATED HGT-NOM SEATED HGT-NOM SEATED HGT-NOM
位大小 32 32 32
最大时钟频率 25 MHz 25 MHz 25 MHz
DAC 通道 NO NO NO
DMA 通道 YES YES YES
JESD-30 代码 S-PQCC-N33 S-PQCC-N33 S-PQCC-N33
长度 5 mm 5 mm 5 mm
湿度敏感等级 3 3 3
I/O 线路数量 29 29 29
端子数量 33 33 33
片上程序ROM宽度 8 8 8
最高工作温度 105 °C 105 °C 105 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
PWM 通道 YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVQCCN HVQCCN HVQCCN
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
RAM(字节) 8192 8192 8192
ROM(单词) 32768 32768 32768
ROM可编程性 FLASH FLASH FLASH
座面最大高度 0.85 mm 0.85 mm 0.85 mm
速度 30 MHz 30 MHz 30 MHz
最大供电电压 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 30
宽度 5 mm 5 mm 5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 MICROCONTROLLER, RISC MICROCONTROLLER, RISC MICROCONTROLLER, RISC
Base Number Matches 1 1 1
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