M25P10-AVMN6G,M25P10-AVMN6G pdf中文资料,M25P10-AVMN6G引脚图,M25P10-AVMN6G电路-Datasheet-电子工程世界

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M25P10-A

1 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory

With 50MHz SPI Bus Interface

FEATURES SUMMARY

■

1 Mbit of Flash Memory

Page Program (up to 256 Bytes) in 1.4ms

(typical)

Sector Erase (256 Kbit) in 0.8s (typical)

Bulk Erase (1 Mbit) in 2.5s (typical)

2.7 to 3.6V Single Supply Voltage

SPI Bus Compatible Serial Interface

50MHz Clock Rate (maximum)

Deep Power-down Mode 1µA (typical)

Electronic Signature (11h)

– JEDEC Standard two-Byte Signature

(2011h)

– RES Instruction, One-Byte, Signature

(10h), for backward compatibility

More than 100,000 Erase/Program Cycles per

Sector

More than 20 Years’ Data Retention

Figure 1. Packages

SO8 (MN)

150 mil width

VDFPN8 (MP)

(MLP8)

March 2005

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M25P10-A

TABLE OF CONTENTS

FEATURES SUMMARY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Figure 1. Packages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

SUMMARY DESCRIPTION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Figure 2. Logic Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Figure 3. SO and VDFPN Connections . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Table 1. Signal Names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

SIGNAL DESCRIPTION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Serial Data Output (Q) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Serial Data Input (D) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Serial Clock (C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Chip Select (S) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Hold (HOLD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Write Protect (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

SPI MODES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Figure 4. Bus Master and Memory Devices on the SPI Bus. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Figure 5. SPI Modes Supported . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

OPERATING FEATURES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Page Programming . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Sector Erase and Bulk Erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Polling During a Write, Program or Erase Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Active Power, Standby Power and Deep Power-Down Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

WIP bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

WEL bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

BP1, BP0 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

SRWD bit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Protection Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Table 2. Protected Area Sizes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Hold Condition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Figure 6. Hold Condition Activation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

MEMORY ORGANIZATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Table 3. Memory Organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Figure 7. Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

INSTRUCTIONS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Table 4. Instruction Set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Write Enable (WREN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Figure 8. Write Enable (WREN) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

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M25P10-A

Write Disable (WRDI) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Figure 9. Write Disable (WRDI) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Read Identification (RDID) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Table 5. Read Identification (RDID) Data-Out Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Figure 10.Read Identification (RDID) Instruction Sequence and Data-Out Sequence . . . . . . . . . . 15

Read Status Register (RDSR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Table 6. Status Register Format . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

WIP bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

WEL bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

BP1, BP0 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

SRWD bit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Figure 11.Read Status Register (RDSR) Instruction Sequence and Data-Out Sequence . . . . . . . 16

Write Status Register (WRSR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Figure 12.Write Status Register (WRSR) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Table 7. Protection Modes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Read Data Bytes (READ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Figure 13.Read Data Bytes (READ) Instruction Sequence and Data-Out Sequence . . . . . . . . . . . 19

Read Data Bytes at Higher Speed (FAST_READ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Figure 14.Read Data Bytes at Higher Speed (FAST_READ) Instruction Sequence

and Data-Out Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Page Program (PP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Figure 15.Page Program (PP) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Sector Erase (SE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Figure 16.Sector Erase (SE) Instruction Sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Bulk Erase (BE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Figure 17.Bulk Erase (BE) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Deep Power-down (DP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Figure 18.Deep Power-down (DP) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Release from Deep Power-down and Read Electronic Signature (RES) . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Figure 19.Release from Deep Power-down and Read Electronic Signature (RES) Instruction

Sequence and Data-Out Sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Figure 20.Release from Deep Power-down (RES) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

POWER-UP AND POWER-DOWN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Figure 21.Power-up Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Table 8. Power-Up Timing and VWI Threshold . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

INITIAL DELIVERY STATE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

MAXIMUM RATING. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Table 9. Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

DC AND AC PARAMETERS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Table 10. Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Table 11. AC Measurement Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Figure 22.AC Measurement I/O Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

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M25P10-A

Table 12. Capacitance. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Table 13. DC Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Table 14. Instruction Times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Table 15. AC Characteristics (25MHz Operation) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Table 16. AC Characteristics (40MHz Operation) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Table 17. AC Characteristics (50MHz Operation) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Figure 23.Serial Input Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Figure 24.Write Protect Setup and Hold Timing during WRSR when SRWD=1 . . . . . . . . . . . . . . . 35

Figure 25.Hold Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Figure 26.Output Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

PACKAGE MECHANICAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Figure 27.SO8 narrow – 8 lead Plastic Small Outline, 150 mils body width, Package Outline . . . . 37

Table 18. SO8 narrow – 8 lead Plastic Small Outline, 150 mils body width,

Package Mechanical Data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Figure 28.VDFPN8 (MLP8) 8-lead Very thin Dual Flat Package No lead, Package Outline . . . . . . 38

Table 19. VDFPN8 (MLP8) 8-lead Very thin Dual Flat Package No lead,

Package Mechanical Data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

PART NUMBERING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Table 20. Ordering Information Scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

REVISION HISTORY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Table 21. Document Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

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M25P10-A

SUMMARY DESCRIPTION

The M25P10-A is a 1 Mbit (128K x 8) Serial Flash

Memory, with advanced write protection mecha-

nisms, accessed by a high speed SPI-compatible

bus.

The memory can be programmed 1 to 256 bytes at

a time, using the Page Program instruction.

The memory is organized as 4 sectors, each con-

taining 128 pages. Each page is 256 bytes wide.

Thus, the whole memory can be viewed as con-

sisting of 512 pages, or 131,072 bytes.

The whole memory can be erased using the Bulk

Erase instruction, or a sector at a time, using the

Sector Erase instruction.

Figure 2. Logic Diagram

VCC

Figure 3. SO and VDFPN Connections

M25P10-A

VSS

AI05761B

VCC

HOLD

M25P10-A

Note: 1. There is an exposed die paddle on the underside of the

MLP8 package. This is pulled, internally, to V

, and

must not be allowed to be connected to any other voltage

or signal line on the PCB.

2. See

PACKAGE MECHANICAL

section for package di-

mensions, and how to identify pin-1.

Table 1. Signal Names

HOLD

Serial Clock

Serial Data Input

Serial Data Output

Chip Select

Write Protect

Hold

Supply Voltage

Ground

VSS

AI05760

HOLD

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型号	M25P10-AVMN6G	M25P80VMP6T	M25P80VMN6T	M25P40VMP6T	M25P40VMN6T	M25P20VMP6T	M25P20VMN6T	M25P10-AVMN6TG	M25P05-AVMP6T
描述	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8	8
组织	128KX8	128K X 8	128K X 8	128K X 8	128K X 8	128K X 8	128K X 8	128KX8	64KX8
表面贴装	YES	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	YES	YES
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	GULL WING	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
最大工作温度	-	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	-	-
最小工作温度	-	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-	-
最大供电/工作电压	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	-
最小供电/工作电压	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	-	-
额定供电电压	-	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	-	-
最大时钟频率	-	25 MHz	25 MHz	25 MHz	25 MHz	25 MHz	25 MHz	-	-
加工封装描述	-	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	-	-
无铅	-	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-	-
欧盟RoHS规范	-	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-	-
中国RoHS规范	-	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-	-
状态	-	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	-	-
包装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-
包装尺寸	-	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	-	-
端子间距	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	-
端子涂层	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
包装材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-
存储密度	-	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	-	-
操作模式	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	-
位数	-	128K	128K	128K	128K	128K	128K	-	-
内存IC类型	-	FLASH 2.7V PROM	FLASH 2.7V PROM	FLASH 2.7V PROM	FLASH 2.7V PROM	FLASH 2.7V PROM	FLASH 2.7V PROM	-	-
串行并行	-	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	-	-

2416+16550 驱动外包: 各位仁兄：小弟有项目如下：基于S3C2416的串口驱动程序，串口芯片16550， ...; PLAYFPGA 嵌入式系统

谢谢各位啦: 有谁知道基于数字电路的多路抢答器的设计的难点和重点在哪里有什么创新点谢谢各位啦 ...; CZY123CZY 模拟电子

FPGA数字电子系统设计与开发实例导航.pdf: FPGA数字电子系统设计与开发实例导航.pdf FPGA数字电子系统设计与开发实例导航.pdf ...; zxopenljx EE_FPGA学习乐园

单片机问题: 我刚刚接触单片机，现在再做一个带温度显示的多功能数字万年历。但是在过程当中遇到了很多问题，自己芯片也...; 徐建庆 51单片机

有奖话题：说说，国产最能打的Arm架构的MCU？: Arm架构的MCU众多也，国潮时代，哪些国产Arm架构的MCU成了你的菜？本期话题，邀你来...; EEWORLD社区国产芯片交流

如何去掉开发板口串口反馈信息: 如何去掉开发板s3c2410的串口自动反馈信息？比如说，把开发板和pc连在一起，打开pc上的串口软件...; dhu2060427 嵌入式系统

美高森美携手Analog Devices公司以加快客户设计和上市速度

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 和全球领先的高性能模拟技术提供商Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案，其基础为美高森美的一系列碳化硅MOSFET产品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔离栅极...[详细]
王殿甫：我国彩电产业依旧缺芯少魂

　　新华网苏州9月7日专电(记者邓华宁)正在苏州进行的第四届中国国际集成电路产业展览会高峰论坛上，创维集团董事局主席王殿甫表示，2005年我国彩电总产量占全球的45.5%，但彩电产业依旧“缺芯少魂”，利润菲薄，平均每台创维电视的净利润仅为20元。我国应当抓住数字电视普及带来的机遇，加强自主研发，将彩电产业做强。　　统计显示，我国2005年共生产彩电8283万台，占全球市场的45.5%。其中...[详细]
多媒体处理器DM642及其在视频监控中的应用

　　引　言　　视频监控系统的设计方案有很多种，但是市场产品的主流一般选择两种方案：一是基于CPU和专用的视频编解码ASIC芯片。该方案选择以ARM为核心的CPU和专用媒体处理芯片搭建。优点是开发时间相对较短，但由于采用ASIC，灵活性较差，产品一旦定型，很难更改。二是采用面向媒体处理的专用DSP。其开发时间不长，优点是由于算法是软件代码，所以可以不断对产品性能进行升级，重复开发成本较低。由全球...[详细]
智能磨辊机器人上线运行每年可节约成本295万元

近日，由酒钢宏兴股份不锈钢分公司自主研发设计的智能磨辊机器人上线运行。在热轧厂房，记者见到了刚刚上线不久的智能磨辊机器人。该机器人本体安装于热轧生产线出口夹送辊对面一侧。每到换辊间隙，这个带着机械臂的“操作工”就会忙碌起来，自动检测夹送辊上的夹杂物和皮，并对辊子进行打磨。 “按照工艺要求，我们每天需要对辊子修磨3次，以往都是人工手动修磨，由于现场环境恶劣，场地狭小，人工修磨不仅劳动强...[详细]
朗诗德PLM项目启动

前言随着“ 中国制造2025 ”的提出与不断推动深化，国家坚持把创新摆在制造业发展全局的核心位置，并且日趋完善有利于创新的制度环境，推动跨领域跨行业协同创新，突破一批重点领域关键共性技术，促进制造业数字化、网络化、智能化，走创新驱动的发展道路。智能制造有望成为未来十年中国资本市场的核心主题之一。当前，新一轮科技革命和产业变革与我国加快转变经济发展方式形成历史性交汇，如何抓住新一代信息技术与制造...[详细]
STM32实验1：定时器中断同时产生两路不同频率的信号

一、实验目的使用STM32同时产生两路不同频率的信号，并通过观察开发板两个LED闪烁快慢的现象，以及在MDK5中软件仿真逻辑分析中查看波形，体现两路信号频率的不同。二、实验原理通过定时器中断配置，定时器3每600ms中断一次，然后中断服务函数中控制LED实现LED1状态取反（闪烁）；定时器4每200ms中断一次，然后中断服务函数中控制LED实现LED0状态取反（闪烁）。本实验用到的硬件...[详细]
谷歌与俄罗斯就Android垄断案达成庭外和解

eeworld网北京时间4月17日晚间消息，俄罗斯反垄断监管部门“联邦反垄断局”（以下简称“FAS”）周一宣布，已与谷歌就Android垄断案达成庭外和解。　　FAS副局长阿列克谢·多岑科（Alexei Dotsenko）今日称，该和解协议已经得到了法庭批准，合约期限为6年零9个月。根据该和解协议，谷歌将支付4.39亿卢布（约合780万美元）的罚款。　　此外，在俄罗斯市场，谷歌不再要...[详细]
联想 Z6 Pro 将在本月正式发布上市

联想集团副总裁、联想移动业务中国区总负责人常程今天（4 月 8 日）在微博中突然宣布，联想旗下第二款搭载骁龙 855 移动平台的旗舰手机联想 Z6 Pro 将于本月（4 月）正式发布并上市。从常程发出来的联想 Z6 Pro 预热海报中的文案“为什么很多旗舰手机虽然能称得上性能的暴力，却达不到美学的高度”得悉，这次联想 Z6 Pro 除了配备骁龙 855 移动平移台外，该机还将会在外观...[详细]
韩国半导体无晶圆厂联盟成立

集微网报道，据businesskorea报道，韩国由半导体需求公司和供应公司组成的半导体无晶圆厂联盟已经成立。该联盟的目标是通过开发基于制造商需求的国内成品的半导体，促进企业之间的协同效应，增强产业竞争力。韩国半导体无晶圆厂联盟启动仪式于7月10日在城南板桥的京畿道创业园举行，由韩国城南市、韩国电子技术研究所(KETI)和韩国无晶圆厂产业协会合作举办。韩国Telechips（泰利鑫）、GAO...[详细]
2010 年将是LED 背光液晶电视年？

据 iSuppli 公司，由于电视供应链各环节的积极参与、消费者需求增加和厂商更重视绿色技术，发光二极管(LED)背光液晶电视2010 年及未来数年的增长势头将大大增强。 iSuppli 公司预测，40 英寸以及更大的LED 背光液晶电视全球出货量，到2013 年将扩大到1.121亿台，而2008 年只有3.4 万台，2008-2013 年的复合年增长率(CAGR)高达405%。2...[详细]
凌力尔特公司推出高压理想二极管控制器

凌力尔特公司推出高压理想二极管控制器 LTC4359，该器件为肖特基二极管提供了一种简单的低损耗替代方案，同时拥有适合汽车、航空电子及太阳能应用的重要特性。LTC4359 在 4V 至 80V 的宽电源电压范围内工作，可承受 -40V 至 100V 的输入电压而不会受损。工作电流为很低的 150µA，停机控制输入使 LTC4359 能进入低电流停机模式，仅吸取 13µA 电流。此外，LTC435...[详细]
云汉芯城计划A股IPO 主要股东包括火炬电子、力源信息等

2月26日，上海监管局披露云汉芯城（上海）互联网科技股份有限公司（以下简称：云汉芯城）辅导备案基本情况，其辅导机构为国金证券，已于2021年2月18日进行上市辅导备案。资料显示，云汉芯城为国内电子产品制造企业提供全流程一站式的数字化供应链服务和pcb&pcba智能制造的数字化平台服务。通过外部公网和内部api数据对接等方式，上游联接供应厂商的数据库近1000家，下游联接服务企业用户数近40...[详细]
基于FPGA的电子稳像平台的研究

摘要：分析了传统电子稳像平台的缺陷，研究并设计了基于FPGA的专用平台。针对该平台研制过程中所涉及的一些关键问题进行了详尽的分析与探讨，给出了可行的解决办法。实验结果表明该平台工作稳定，扩展性好。关键词：视频处理电子稳像 FPGA 电子摄像系统已广泛应用于军用及民用测绘系统中，但是效果受到其载体不同时刻姿态变化或震动的影响。当工作环境比较恶劣，尤其是在航空或野外操作时，支撑摄像机平台的...[详细]
红米6：口号对标联想Z5 日期PK vivo NEX

集微网消息(文/罗明)今天上午，红米手机官微正式宣布下一代的国民手机红米6将于6月12日在北京发布，就是这么一则消息，小编发现两个有意思的地方。口号对标联想Z5 昨天发布的联想Z5，它的slogan是国民新旗舰，这与红米Pro的“国民旗舰”宣传语有着惊人的相似，由于常程在发布会前学罗永浩牛皮吹大了，结果发布了搭载骁龙636处理器的联想Z5，且外观还存在虚假宣传的嫌疑，没有达到网友们的心理预...[详细]
瑞萨MCU这几年的崛起之路

经常阅读我公公众号文章的小伙伴，应该看到了我今年分享关于瑞萨MCU的内容比较多。再次，你会发现瑞萨电子这几年发展的比较迅猛，不管是线上还是线下的活动都特别多，还有不断涌现出新的MCU产品。瑞萨MCU 我们先来说说我们接触最多的MCU，瑞萨MCU在这几年之中增加了多个系列、N个型号，可以说涵盖了低功耗、高性能、车规级、性价比等目前几乎市面上都有的各个领域的MCU。我们先来...[详细]