M25P20VMP6T,M25P20VMP6T pdf中文资料,M25P20VMP6T引脚图,M25P20VMP6T电路-Datasheet-电子工程世界

文档预览

M25P10-A

1 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory

With 50MHz SPI Bus Interface

FEATURES SUMMARY

■

1 Mbit of Flash Memory

Page Program (up to 256 Bytes) in 1.4ms

(typical)

Sector Erase (256 Kbit) in 0.8s (typical)

Bulk Erase (1 Mbit) in 2.5s (typical)

2.7 to 3.6V Single Supply Voltage

SPI Bus Compatible Serial Interface

50MHz Clock Rate (maximum)

Deep Power-down Mode 1µA (typical)

Electronic Signature (11h)

– JEDEC Standard two-Byte Signature

(2011h)

– RES Instruction, One-Byte, Signature

(10h), for backward compatibility

More than 100,000 Erase/Program Cycles per

Sector

More than 20 Years’ Data Retention

Figure 1. Packages

SO8 (MN)

150 mil width

VDFPN8 (MP)

(MLP8)

March 2005

1/41

M25P10-A

TABLE OF CONTENTS

FEATURES SUMMARY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Figure 1. Packages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

SUMMARY DESCRIPTION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Figure 2. Logic Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Figure 3. SO and VDFPN Connections . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Table 1. Signal Names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

SIGNAL DESCRIPTION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Serial Data Output (Q) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Serial Data Input (D) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Serial Clock (C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Chip Select (S) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Hold (HOLD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Write Protect (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

SPI MODES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Figure 4. Bus Master and Memory Devices on the SPI Bus. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Figure 5. SPI Modes Supported . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

OPERATING FEATURES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Page Programming . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Sector Erase and Bulk Erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Polling During a Write, Program or Erase Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Active Power, Standby Power and Deep Power-Down Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

WIP bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

WEL bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

BP1, BP0 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

SRWD bit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Protection Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Table 2. Protected Area Sizes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Hold Condition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Figure 6. Hold Condition Activation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

MEMORY ORGANIZATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Table 3. Memory Organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Figure 7. Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

INSTRUCTIONS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Table 4. Instruction Set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Write Enable (WREN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Figure 8. Write Enable (WREN) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

2/41

M25P10-A

Write Disable (WRDI) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Figure 9. Write Disable (WRDI) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Read Identification (RDID) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Table 5. Read Identification (RDID) Data-Out Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Figure 10.Read Identification (RDID) Instruction Sequence and Data-Out Sequence . . . . . . . . . . 15

Read Status Register (RDSR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Table 6. Status Register Format . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

WIP bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

WEL bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

BP1, BP0 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

SRWD bit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Figure 11.Read Status Register (RDSR) Instruction Sequence and Data-Out Sequence . . . . . . . 16

Write Status Register (WRSR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Figure 12.Write Status Register (WRSR) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Table 7. Protection Modes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Read Data Bytes (READ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Figure 13.Read Data Bytes (READ) Instruction Sequence and Data-Out Sequence . . . . . . . . . . . 19

Read Data Bytes at Higher Speed (FAST_READ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Figure 14.Read Data Bytes at Higher Speed (FAST_READ) Instruction Sequence

and Data-Out Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Page Program (PP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Figure 15.Page Program (PP) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Sector Erase (SE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Figure 16.Sector Erase (SE) Instruction Sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Bulk Erase (BE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Figure 17.Bulk Erase (BE) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Deep Power-down (DP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Figure 18.Deep Power-down (DP) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Release from Deep Power-down and Read Electronic Signature (RES) . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Figure 19.Release from Deep Power-down and Read Electronic Signature (RES) Instruction

Sequence and Data-Out Sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Figure 20.Release from Deep Power-down (RES) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

POWER-UP AND POWER-DOWN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Figure 21.Power-up Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Table 8. Power-Up Timing and VWI Threshold . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

INITIAL DELIVERY STATE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

MAXIMUM RATING. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Table 9. Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

DC AND AC PARAMETERS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Table 10. Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Table 11. AC Measurement Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Figure 22.AC Measurement I/O Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

3/41

M25P10-A

Table 12. Capacitance. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Table 13. DC Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Table 14. Instruction Times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Table 15. AC Characteristics (25MHz Operation) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Table 16. AC Characteristics (40MHz Operation) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Table 17. AC Characteristics (50MHz Operation) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Figure 23.Serial Input Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Figure 24.Write Protect Setup and Hold Timing during WRSR when SRWD=1 . . . . . . . . . . . . . . . 35

Figure 25.Hold Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Figure 26.Output Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

PACKAGE MECHANICAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Figure 27.SO8 narrow – 8 lead Plastic Small Outline, 150 mils body width, Package Outline . . . . 37

Table 18. SO8 narrow – 8 lead Plastic Small Outline, 150 mils body width,

Package Mechanical Data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Figure 28.VDFPN8 (MLP8) 8-lead Very thin Dual Flat Package No lead, Package Outline . . . . . . 38

Table 19. VDFPN8 (MLP8) 8-lead Very thin Dual Flat Package No lead,

Package Mechanical Data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

PART NUMBERING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Table 20. Ordering Information Scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

REVISION HISTORY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Table 21. Document Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

4/41

M25P10-A

SUMMARY DESCRIPTION

The M25P10-A is a 1 Mbit (128K x 8) Serial Flash

Memory, with advanced write protection mecha-

nisms, accessed by a high speed SPI-compatible

bus.

The memory can be programmed 1 to 256 bytes at

a time, using the Page Program instruction.

The memory is organized as 4 sectors, each con-

taining 128 pages. Each page is 256 bytes wide.

Thus, the whole memory can be viewed as con-

sisting of 512 pages, or 131,072 bytes.

The whole memory can be erased using the Bulk

Erase instruction, or a sector at a time, using the

Sector Erase instruction.

Figure 2. Logic Diagram

VCC

Figure 3. SO and VDFPN Connections

M25P10-A

VSS

AI05761B

VCC

HOLD

M25P10-A

Note: 1. There is an exposed die paddle on the underside of the

MLP8 package. This is pulled, internally, to V

, and

must not be allowed to be connected to any other voltage

or signal line on the PCB.

2. See

PACKAGE MECHANICAL

section for package di-

mensions, and how to identify pin-1.

Table 1. Signal Names

HOLD

Serial Clock

Serial Data Input

Serial Data Output

Chip Select

Write Protect

Hold

Supply Voltage

Ground

VSS

AI05760

HOLD

5/41

型号	M25P20VMP6T	M25P80VMP6T	M25P80VMN6T	M25P40VMP6T	M25P40VMN6T	M25P20VMN6T	M25P10-AVMN6TG	M25P10-AVMN6G	M25P05-AVMP6T
描述	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8	128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8	8
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
组织	128K X 8	128K X 8	128K X 8	128K X 8	128K X 8	128K X 8	128KX8	128KX8	64KX8
最大工作温度	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	-	-	-
最小工作温度	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-	-	-
最大供电/工作电压	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	-	-
最小供电/工作电压	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	-	-	-
额定供电电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	-	-	-
最大时钟频率	25 MHz	25 MHz	25 MHz	25 MHz	25 MHz	25 MHz	-	-	-
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8	-	-	-
无铅	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-	-	-
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-	-	-
中国RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-	-	-
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	-	-	-
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	-
包装尺寸	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	-	-	-
端子间距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	-	-
端子涂层	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	-
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	-
存储密度	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	-	-	-
操作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	-	-
位数	128K	128K	128K	128K	128K	128K	-	-	-
内存IC类型	FLASH 2.7V PROM	FLASH 2.7V PROM	FLASH 2.7V PROM	FLASH 2.7V PROM	FLASH 2.7V PROM	FLASH 2.7V PROM	-	-	-
串行并行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	-	-	-

图文并茂 LED术语学习: LED 术语注释辐射通量在单位时间内从光源发射的能量称为辐射通量Φ，单位用瓦（W）。光...; qwqwqw2088 LED专区

请问大侠用555做脉冲串为何得到的每个脉冲周期比较长？: 请问大侠用555做脉冲串为何得到的每个脉冲周期比较长？请问大侠用555做脉冲串为何得到的每个脉冲周...; weilangyu 模拟电子

【问TI】Stelleris系列ARM芯片用SWD方式，硬件如何连接: 由于SWD方式貌似比JTAG方式仿真和调试能少用两个IO口，以后想只留SWD调试接口来做产品，看了一...; 古道热肠MP3 微控制器 MCU

覆铜连接地网络其他没网络的也被连接了怎么办。: 急求谢谢覆铜连接地网络其他没网络的也被连接了怎么办。无图无真相增加设置一下呗，哈哈无图无真相...; 大发明家 PCB设计

出一块 stm32 F0 discovery 每天降价2元，有效期两周内！: 限诚信交易出一块 stm32 F0 discovery ST原装9成新以上，参数与...; strong161 淘e淘

D5作用: 请教一下，pwm模块这边的D5作用是什么？ D5作用 NA = Not Assemb...; 李二峰模拟电子

挑战ASML ？佳能推出纳米压印技术

10月13日，日本佳能公司宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备将执行最重要的半导体制造工艺——电路图案转移。据介绍，佳能的纳米压印光刻（Nano-Imprint Lithography，NIL）技术可实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点。此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相...[详细]
无损检测之射线探伤仪的能力范围及局限性

射线探伤仪，主要用于探测机加工件内部有无缺陷(裂纹、砂眼、气孔、白点、夹杂等)，从而判定工件合格与否。　　射线照相检测(RT) 　　能力范围：　　a)　能检测出焊缝中存在的未焊透、气孔、夹渣等缺陷; 　　b)　能检测出铸件中存在的缩孔、夹渣、气孔、疏松、热裂等缺陷; 　　c)　能确定检出缺陷的平面投影位置和大小，以及缺陷的种类。　　注：射线照相检测的透照厚度，主要由射线能量决定。对...[详细]
PIC单片机在神经刺激器中的应用

一、概述生命系统中的神经、肌肉都是可兴奋组织，对于外界一定的刺激会发生反应，这种反应表现为神经冲动、肌肉收缩、血管张弛等等。外周神经刺激器就是用于外科手术麻醉过程中，通过刺激外周神经引起病人的肌肉颤搐来观察肌松药效的一种仪器。如果麻醉不深，用刺激器刺激前臂的尺神经，会引起姆指的内收动作；如果麻醉进入深度，则姆指的内收动作就会消失。外周神经刺激器的刺激脉搏宽是200us，电流强度在1...[详细]
智利计划将锂矿开采产业国有化

据油价网4月21日消息称，智利本周表示，全球第二大锂生产国智利计划将锂开采行业国有化，并补充称，未来的合同将只授予由国家控制的公私合作伙伴关系。这一消息导致全球最大的锂生产商Albemarle Corporation和SQM的股价在周四和周五早些时候暴跌。智利用卤水生产锂 ... ...[详细]
CAN总线混合动力车电控系统的设计与实现

混合动力汽车是一种由内燃机和电动机混合驱动的汽车，其主要特点是节能、环保。这种汽车在起步时用电动机驱动，消除了内燃机起步时由于燃烧不充分而排黑烟的现象。在汽车减速或刹车时，利用发电机把动能转化成电能，贮存到蓄电池中，实现能量回收达到节能的目的。由于这种汽车是内燃机和电动机两种动力并存，仅用传统的针对内燃机的电控系统无法实现两种动力的最佳配合，因此开发混合动力车的全新电控系统是十分必要的.本文以一...[详细]
Akasol计划在本周的欧洲电池展上展示其首款柱式电池系统

据外媒报道，Akasol计划在本周的欧洲电池展（The Battery Show Europe）上展示其首款柱式电池系统，其能量密度高达221 Wh/kg。得益于其模块化结构，AKAModule 60 CYC可被用于打造高能量密度电池系统，使城际长途客车、客车及卡车等商用车辆能完成长途旅程，同时延长电池的使用寿命。Akasol将在该展会上推出一款40 kWh AKASYSTEM 15 AKM 6...[详细]
无线充电技术 2013年或迈入技术成熟期

虽然无线充电技术已发展多年，但事实上一直未能成为市场主流。日前，英特尔和IDT（Integrated Device Technology）宣布达成合作，为英特尔的无线充电技术共同开发集成发射器和接收器芯片。该方案将利用共振技术，使置于PC周围的设备以无线的方式完成充电。 “你需要一种WCT（无线充电技术）来实现外围设备如超级本的充电，但外设必须距离发射器一英寸范围之内。”英特尔发言人Dan...[详细]
Redmi 9A/9C发布：联发科处理器+5000mAh电池

今日上午，小米在马来西亚正式发布了新机 Redmi 9A 与 Redmi 9C，搭载联发科处理器，内置 5000mAh 电池。　　　　IT之家了解到，Redmi 9A 采用 6.53 英寸 HD + 水滴屏，内置 5000mAh 电池，搭载联发科 Helio G25，配备 13MP 后置摄像头，拥有 2GB 内存与 32GB 机身存储，售价 RM359（马来西亚林吉特），约合人民币...[详细]
频谱分析仪的七大性能指标

频谱分析仪是一种用于在频域中显示信号幅度的仪器。它在射频领域有“射频万用表”的绰号。在射频领域，传统的万用表无法有效测量信号的幅度，示波器很难测量高频信号，这是频谱分析仪的优势所在。下面则对频谱分析仪的七大性能指标进行讲解。 1、输入频率范围它指的是频谱分析仪可以正常工作的最大频率范围。该范围的上限和下限由HZ表示，HZ由扫描本地振荡器的频率范围确定。现代频谱分析仪的频率范围通常...[详细]
STM32 MCU内置的一些主要硬件安全属性

对于功能安全，ST MCU从芯片内置的硬件安全属性，经过认证的软件自检库和完备的安全文档三个层面来支持STM32用户在系统级进行开发，达到要求的功能安全等级。下表中列出了STM32MCU内置的一些主要硬件安全属性。下面我们一起来看看这些属性在功能安全中的用处。双看门狗：独立看门狗和窗口看门狗看门狗是我们常用到的针对CPU运行状态监测的手段之一。它本质上就是一个定时器，启动之后，需要不...[详细]
数显电流表的使用方法及注意事项

　　数显电流表的使用方法　　使用数显电流表要注意几个点，一是接线，要将数显电流表串联到电路中测量。二是参数设置，数显电流表的参数设置与具体的功能有关。我们以具体的仪表型号为例加以说明。　　怎么接线和设置参数：　　数显电流表根据功能不同，接线方式也有不同，我们以北崎DU4系列数显电流表的一个具体型号为例，加以说明。　　型号： DU4-AA200AG 　　首先，这个型号的量程是...[详细]
千兆网络接口在S3C2440A系统中的应用

嵌入式系统广泛应用在工业测控、智能仪表、智能家庭等很多领域。随着嵌入式系统应用范围的不断扩展及网络应用的日益普及，使得越来越多的嵌入式系统需要网络功能。三星公司S3C2440A是国内应用较多的嵌入式微处理器之一，在S3C2440A应用系统中，目前只支持10／100M的网络接口，有很大的实用价值，既可以拓展S3C2440A的应用领域，也可以给其它嵌入式系统高速接入网络提供一种简单易行的参考。设...[详细]
S3C2410X在无线宽带通信网中的应用

摘要：介绍一款基于ARM920T核的嵌入式微处理器--S3C2410X，利用它的建一个嵌入式系统，实现无线宽度通信的功能，满足目前人们对于无线宽带通信的嵌入式多方面需要。关键词：无线宽带通信嵌入式系统 S3C2410X 1 无线宽带通信简介自1997年IEEE802工作组制定了802-11无线局域网标准，基于WLAN技术的无线宽带通信得到了迅速发展。在短短的六年发展历程中，WI．A...[详细]
LTE-A专利布局剖析　高通持续领先地位

随着2011年3GPP R10标准的确立，行动通讯技术也从LTE扩展延伸到LTE-Advanced的新阶段，2013年第2季开始，南韩三大电信营运商相继开通LTE-Advanced服务，显现新技术商业化的到来。也同样在2011年，苹果(Apple)开始对其竞争者宏达电、三星(Samsung)等发动一连串的官司诉讼，为此宏达电收购其关系企业威盛电子旗下的S3公司，以及Google收购摩托罗...[详细]
从高利润到平均利润 LED芯片将走向微利时代

　　一个企业或者产业，从高利润阶段步入平均利润阶段，再进入微利时代，正是发展的基本规律之一。在历经投资热、降价甩货潮之后，LED芯片领域正悄悄步入微利甚至是无利时代。　　业内专家表示，随着LED芯片价格不断下跌，有部分芯片厂家已无利润可言。小规模、无研发能力的芯片企业遭遇到困境，而必须靠销量增长、靠技术进步来维持生存。“2013年初国内LED芯片企业会出现倒闭潮，拥有MOCVD设备数量在8...[详细]