M5M52B78P-10,M5M52B78P-10 pdf中文资料,M5M52B78P-10引脚图,M5M52B78P-10电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与M5M52B78P-10相近的元器件有：M5M52B78P-12、M5M52B78J-15、M5M52B78J-15T、M5M52B78J-12T、M5M52B78J-10、M5M52B78J-12、M5M52B78J-10T、M5M52B78P-15。描述及对比如下：

型号	M5M52B78P-10	M5M52B78P-12	M5M52B78J-15	M5M52B78J-15T	M5M52B78J-12T	M5M52B78J-10	M5M52B78J-12	M5M52B78J-10T	M5M52B78P-15
描述	Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	DIP	DIP	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.3	DIP, DIP28,.3	SOJ, SOJ28,.34	SOJ,	SOJ,	SOJ, SOJ28,.34	SOJ, SOJ28,.34	SOJ,	DIP, DIP28,.3
针数	28	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	10 ns	12 ns	15 ns	15 ns	12 ns	10 ns	12 ns	10 ns	15 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDIP-T28
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
是否无铅	含铅	含铅	含铅	-	-	含铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	-	不符合	不符合	-	不符合
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	-	COMMON	COMMON	-	COMMON
JESD-609代码	e0	e0	e0	-	-	e0	e0	-	e0
封装等效代码	DIP28,.3	DIP28,.3	SOJ28,.34	-	-	SOJ28,.34	SOJ28,.34	-	DIP28,.3
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	-	-	5 V	5 V	-	5 V
最大压摆率	0.175 mA	0.165 mA	0.15 mA	-	-	0.175 mA	0.165 mA	-	0.15 mA
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	-	-	1.27 mm	1.27 mm	-	2.54 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

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热电偶和热电阻的原理

　　一、热电偶的应用原理热电偶是工业上最常用的温度检测元件之一。其优点是： ①测量精度高。因热电偶直接与被测对象接触，不受中间介质的影响。 ②测量范围广。常用的热电偶从-50~+1600℃均可边续测量，某些特殊热电偶最低可测到-269℃（如金铁镍铬），最高可达+2800℃（如钨-铼）。 ③构造简单，使用方便。热电偶通常是由两种不同的金属丝组成，而且不受大小和...[详细]
iPad商标确权诉讼终审今天开庭

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智能电缆测试系统的设计原理及工程应用

智能型电缆测试系统采用单片机和工控机相结合的方案实现了1 536个测试点之问导通和绝缘关系的测试。详细说明了基于单片机的硬件电路设计原理和工程应用方案。经实际测试，电缆测试系统达到了设计要求，大幅度提高了洲试的效率和准确性。　　本文提出了一种针对航空多芯电缆故障检测的新方案，并阐述了系统构成和测试原理。　　1 测试系统构成　　电缆测试系统主要由工控机系统，单片机系统和继电器阵列三部分构成...[详细]
英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度

【2023年11月29日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的6...[详细]
荣耀20和荣耀20 Pro海外获认证

开年之后，骁龙855手机格外活跃。当然，自研芯片的华为也在暗中发力，除了昨晚21点要在巴黎登场的P30系列，荣耀方面同样有重磅新品。　　在欧亚经济委员会的产品库中出现了Honor 20（荣耀20）和Honor 20 Pro（荣耀20 Pro）的身影，前者型号为YAL-L21，后者型号为YAL-L41。　　此外，还有华为P Smart Z、Y5 2019等入门产品。 ...[详细]
中微获得与Applied Materials诉讼的胜利

中国芯片设备商中微半导体获得了与竞争对手Applied Material关于商业秘密诉讼纠纷的最终胜利。 Applied Materials于2007年通过美国北加州联邦法院对中微提出诉讼，包括剽窃商业机密、违反合约、不正当竞争。被告包括中微几名高管，此前这几位高管在Applied Materials工作。 ...[详细]
LED的显示方式

　　在微机应用系统中使用LED显示块构成N位LED显示器，N位显示器的构成原理如图所示。　　图1 N位LED显示器的构成原理图　　N位LED显示器有Ⅳ根位选线和8×Ⅳ根段选线。根据显示方式不同，位选线与段选线的连接方法不同。段选线控制字符选择，位选线控制显示位的亮、暗。LED显示器有静态显示与动态显示两种方式：　　· LED静态显示方式　　所谓静态显示，就是当显示器显...[详细]
做9260的交叉工具遇到的问题

编译过程相当的麻烦。而且出错相当多。搞的我把工具链砍掉重练了好几次～编译过程：环境设置: sudo groupadd arm sudo useradd arm -g arm sudo passwd arm #设置密码 su - arm #切换帐户 export CLFS_HOST= $(echo $MACHTYPE | sed s/$(echo $MACHTYPE | cut -d- -f...[详细]
机构:DRAM与NAND FLASH价格下半年将下降

Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。 Gartner 表示，自 2016 年中期以来，随着 NAND Flash 的涨价，SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。其原因在于中国厂...[详细]
陈天石：在AI“石器”时代保留火种

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高通：自动识别车辆和行人的汽车即将到来

想象一下，未来的汽车或许会具有某种自我感知功能，能够自动识别周围的其它车辆和行人以保证行车安全。而这也是正是高通希望未来几年内在汽车上能够实现的新功能。与十年前的汽车相比，如今的汽车在智能化方面已经有了长足的进步。现在很多车型都加入了诸如导航、蓝牙、测速防撞等功能。与此同时，苹果的CarPlay和谷歌的Android Auto操作系统也将能够为司机或乘客提供更加及时的内...[详细]
苹果、华为、三星等国内外知名半导体公司离不开中国材料

佳博科技生产车间一景。刘伟摄　　很难想象，在国内半导体封装材料中，一种不到一根头发细的键合丝，就来自温州的一家企业。　　其产品生产工艺复杂、全程在高净化度、恒温恒湿及显微镜下进行，产品生产的精细化管理要求之严，超乎很多人的想象。　　走进位于乐清盐盘工业区的浙江佳博科技股份公司，这是一家从事半导体封装材料键合丝研发、生产及销售的高新技术企业。整个生产车间是无菌生产车间，工...[详细]
高通公司为Verizon,Wireless网络带来连接型终端

高通公司旗舰产品Snapdragon处理器与LTE调制解调器支持的终端,将为Verizon Wireless公司的LTE客户提供比以往最高达10倍的下行速度。拉斯维加斯和新泽西州Basking Ridge——美国高通公司（Nasdaq：QCOM）与Verizon Wireless公司今天在2011年国际电子消费展（CES）上宣布，高通公司的Snapdragon MSM8655™处理...[详细]
SSO的LC电源滤波电路算法完善

1 引言同步开关噪声(SSN)是由IO 输出缓冲同时开关产生的，也被称作同步开关输出噪声(SSO)。产生SSO 的一个主要原因是电源分配系统(PDS)存在阻抗。今朝常用的体例是在紧靠芯片的电源输入端加足够的退耦电容，可以起到稳压的浸染，可是因为电源平面和芯片电源平面没有有用的隔离，电源平面上存在的噪声干扰很轻易进入到芯片的供电平面上，最终传导到SSO 上，使得SSO 恶化。本文提出了L ...[详细]
传三星、飞利浦、松下联手控告Vizio侵权

据外电报道，在北美地区液晶电视市场占有率居第2位的Vizio公司，传出遭到竞争对手三星、新力、飞利浦、松下等联手控告侵犯影像压缩技术MPEG-2的专利，Vizio品牌台湾代工厂商瑞轩科技指出，因尚未收到诉状，目前无法判断侵权内容，瑞轩稍后将对外公告说明。　　瑞轩法务部门指出，瑞轩有取得MPEG-2影像压缩专利的直接授权，但因这部份牵涉到的技术专利较多，在没有收到法院的诉状以厘清案情以前...[详细]