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M74HC132C1

HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20

器件类别:逻辑    逻辑   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
QFN
包装说明
PLASTIC, CC-20
针数
20
Reach Compliance Code
not_compliant
系列
HC/UH
JESD-30 代码
S-PQCC-J20
JESD-609代码
e0
长度
8.9662 mm
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
NAND GATE
最大I(ol)
0.004 A
功能数量
4
输入次数
2
端子数量
20
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装等效代码
LDCC20,.4SQ
封装形状
SQUARE
封装形式
CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup
31 ns
传播延迟(tpd)
31 ns
认证状态
Not Qualified
施密特触发器
YES
座面最大高度
4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)
6 V
最小供电电压 (Vsup)
2 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
8.9662 mm
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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参数对比
与M74HC132C1相近的元器件有:M74HC132F1、M74HC132B1N、M74HC132M1、M54HC132F1。描述及对比如下:
型号 M74HC132C1 M74HC132F1 M74HC132B1N M74HC132M1 M54HC132F1
描述 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14, PLASTIC, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDSO14, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 QFN DIP DIP SOIC DIP
包装说明 PLASTIC, CC-20 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-14 DIP, DIP14,.3
针数 20 14 14 14 14
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant not_compliant not_compliant
系列 HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 S-PQCC-J20 R-GDIP-T14 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14 R-GDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
功能数量 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2
端子数量 20 14 14 14 14
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCJ DIP DIP SOP DIP
封装等效代码 LDCC20,.4SQ DIP14,.3 DIP14,.3 SOP14,.25 DIP14,.3
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V
传播延迟(tpd) 31 ns 31 ns 31 ns 31 ns 38 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 YES YES YES YES YES
座面最大高度 4.57 mm 5 mm 5.1 mm 1.75 mm 5 mm
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8.9662 mm 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm
是否无铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅
Prop。Delay @ Nom-Sup 31 ns - 31 ns 31 ns 38 ns
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