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M54HC132F1

HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14

器件类别:逻辑    逻辑   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP14,.3
针数
14
Reach Compliance Code
not_compliant
系列
HC/UH
JESD-30 代码
R-GDIP-T14
JESD-609代码
e0
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
NAND GATE
最大I(ol)
0.004 A
功能数量
4
输入次数
2
端子数量
14
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP14,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup
38 ns
传播延迟(tpd)
38 ns
认证状态
Not Qualified
施密特触发器
YES
座面最大高度
5 mm
最大供电电压 (Vsup)
6 V
最小供电电压 (Vsup)
2 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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参数对比
与M54HC132F1相近的元器件有:M74HC132F1、M74HC132B1N、M74HC132C1、M74HC132M1。描述及对比如下:
型号 M54HC132F1 M74HC132F1 M74HC132B1N M74HC132C1 M74HC132M1
描述 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14, PLASTIC, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDSO14, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-14
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DIP DIP DIP QFN SOIC
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 PLASTIC, CC-20 MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-14
针数 14 14 14 20 14
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant not_compliant not_compliant
系列 HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-PDIP-T14 S-PQCC-J20 R-PDSO-G14
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
功能数量 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2
端子数量 14 14 14 20 14
最高工作温度 125 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP QCCJ SOP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 LDCC20,.4SQ SOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V
传播延迟(tpd) 38 ns 31 ns 31 ns 31 ns 31 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 YES YES YES YES YES
座面最大高度 5 mm 5 mm 5.1 mm 4.57 mm 1.75 mm
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND GULL WING
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 8.9662 mm 3.9 mm
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 -
Prop。Delay @ Nom-Sup 38 ns - 31 ns 31 ns 31 ns
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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