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MBM27256-25Z-X

EPROM, 32KX8, 250ns, MOS, CDIP28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:FUJITSU(富士通)

厂商官网:http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
FUJITSU(富士通)
包装说明
DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code
compliant
最长访问时间
250 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存密度
262144 bit
内存宽度
8
端子数量
28
字数
32768 words
字数代码
32000
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
32KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
编程电压
12.5 V
认证状态
Not Qualified
最大压摆率
0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
参数对比
与MBM27256-25Z-X相近的元器件有:MBM27256-20CV、MBM27256-30CV、MBM27256-25CV、MBM27256-17CV、MBM27256-20Z-X。描述及对比如下:
型号 MBM27256-25Z-X MBM27256-20CV MBM27256-30CV MBM27256-25CV MBM27256-17CV MBM27256-20Z-X
描述 EPROM, 32KX8, 250ns, MOS, CDIP28 EPROM, 32KX8, 200ns, MOS, CQCC32 EPROM, 32KX8, 300ns, MOS, CQCC32 EPROM, 32KX8, 250ns, MOS, CQCC32 EPROM, 32KX8, 170ns, MOS, CQCC32 EPROM, 32KX8, 200ns, MOS, CDIP28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP28,.6 QCCN, LCC32,.45X.55 QCCN, LCC32,.45X.55 QCCN, LCC32,.45X.55 QCCN, LCC32,.45X.55 DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code compliant unknown unknown unknown unknown compli
最长访问时间 250 ns 200 ns 300 ns 250 ns 170 ns 200 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-XQCC-N32 R-XQCC-N32 R-XQCC-N32 R-XQCC-N32 R-XDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bi
内存宽度 8 8 8 8 8 8
端子数量 28 32 32 32 32 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP QCCN QCCN QCCN QCCN DIP
封装等效代码 DIP28,.6 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 12.5 V 12.5 V 12.5 V 12.5 V 12.5 V 12.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大压摆率 0.12 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.12 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES YES YES NO
技术 MOS MOS MOS MOS MOS MOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL QUAD QUAD QUAD QUAD DUAL
厂商名称 FUJITSU(富士通) - - FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通)
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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