MC-421000A32BT-60,MC-421000A32BT-60 pdf中文资料,MC-421000A32BT-60引脚图,MC-421000A32BT-60电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与MC-421000A32BT-60相近的元器件有：MC-421000A32FT-80、MC-421000A32FT-70、MC-421000A32BT-70、MC-421000A32BT-80、MC-421000A32FT-60。描述及对比如下：

型号	MC-421000A32BT-60	MC-421000A32FT-80	MC-421000A32FT-70	MC-421000A32BT-70	MC-421000A32BT-80	MC-421000A32FT-60
描述	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 80ns, CMOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 80ns, CMOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
包装说明	SIMM-72	SIMM-72	SIMM-72	SIMM-72	SIMM-72	SIMM-72
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns	80 ns	70 ns	70 ns	80 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72
内存密度	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bi	33554432 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72	72	72
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX32	1MX32	1MX32	1MX32	1MX32	1MX32
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024	1024
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
厂商名称	-	-	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)

Program Size: data=8.0 edata+hdata=1204 xdata=0 const=647 code=17864 都啥意思: 80251 单片机程序编译完成后，出现以下信息 Program Size: data...; 深圳小花单片机

nRF24L01 TX_DS 不置位: 没有使能EN_AA的任何一个应答, SPI_Write_Buf(WRITE_REG + TX...; cl17726 RF/无线

【问TI】器件鉴别真伪及选型: 本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 13:34 编辑去年公司里的产品上用到22...; 蓝雨夜模拟与混合信号

关于论坛下载的XHDL4.0.40.软件不能使用: 关于论坛下载的一款不错的VHDL和Verilog转换软件 XHDL4.0.40.软件不能使用的问题...; zhaoqibinpp FPGA/CPLD

风火轮触摸板问题: 风火轮触摸板中间LED灯灭和亮的时间间隔大概是5秒，我要如何改代码让它的时间间隔缩短为1秒，请各位坛...; 1314de浪漫微控制器 MCU

TI 有奖直播 | 使用基于 Arm 的 AM6xA 处理器设计智能化楼宇: 本次研讨会将带您了解基于 Arm 的 AM6xA 处理器产品组合如何实现智能楼宇控制系统，提高能源...; EEWORLD社区 TI技术论坛

一种简易红外遥控密码锁设计与实现

O 引言随着科学技术的进步和社会经济的发展，电子密码锁取代传统的机械锁已成为一种必然的趋势。以往基于单片机的密码锁系统，直接将编好的密码程序存储在片内EPROM中，但不易实现密码的修改；如要完成修改密码功能，多采用片外串行E2PROM实现。本文研究并设计的一种基于单片机的红外遥控电子密码锁，不但具有普通密码锁智能控制上锁、开锁、报警等特点，而且在不扩展E2PROM的情况下，可以实现8位密码...[详细]
如何将CoolMOS应用于连续导通模式的图腾柱功率因数校正电路

1. 前言功率因素校正为将电源的输入电流塑形为正弦波并与电源电压同步，最大化地从电源汲取实际功率。在完美的 PFC 电路中，输入电压与电流之间为纯电阻关系，无任何输入电流谐波。目前，升压拓扑是 PFC 最常见的拓扑。在效率和功率密度的表现上，必须要走向无桥型，才能进一步减少器件使用，减少功率器件数量与导通路径上的损耗。在其中，图腾柱功率因素校正电路（totem-pole PFC）已...[详细]
STM32F407中断学习笔记

中断与事件的区别相同点：中断和事件都是触发的一种，都是可以设置触发的；异同点：中断触发后必须有中断处理子程序IRQ handle,例如比如按键中断触发，实现一个LED的闪烁，可以在按键按下后，在中断处理程序中实现某个LED的电平反转但在事件中，事件是没有中断处理子程序的，事件发生后，会直接发出一个脉冲信号给与之联动的操作，也可以同样实现LED电平的反转，只要有事件发生，就会有一个脉冲信号...[详细]
微机控制/史密斯算法的Simulink描述

在工业过程控制中，许多被控对象具有纯滞后的性质。Smith（史密斯）提出了一种纯滞后补偿模型，其原理为：与PID控制器并接一补偿环节，该补偿环节称为Smith预估器。设被控对象为采用Smith控制方法，在PI控制中，取Kp=4.0, Ki=0.022，假设预测模型精确，阶跃指令信号取100。用MATLAB的Simulink进行仿真，并将PI控制与Smith控制算法进行比较。不采用Sm...[详细]
索尼电子公司推出全新车载媒体接收器XAV-9500ES

据外媒报道，索尼电子公司（Sony Electronics Inc.）宣布推出Mobile ES™系列首款具有高分辨率音频功能的车载媒体接收器XAV-9500ES。该9500ES接收器搭载时尚、高清的10.1英寸显示屏，可提供高品质声音、可定制的音频功能以及索尼首个无线Apple CarPlay和Android Auto™连接。索尼电子公司家庭娱乐与音响副总裁Daisuke Kawaguc...[详细]
英飞凌全新NFC标签侧控制器集成传感和能量采集功能

英飞凌全新NFC标签侧控制器集成传感和能量采集功能，助力无电池智能传感物联网方案更加小型化【2023年04月4日，德国慕尼黑讯】基于近场通信（NFC）技术的传感控制器内置能量采集功能对开发无源智能设备至关重要，这个特性不仅使得物联网智能设备设计更加便利，从而得以使用在广泛的应用中，同时还可以让设备工作精度和效率更高。英飞凌科技股份公司最新推出的NGC1081，将进一步扩大NFC标签侧...[详细]
三星放弃机海战术：明年砍30%手机产品

腾讯科技讯 11月18日，国外媒体报道称，三星表示，明年公司将削减智能手机产品线。三星此举意在削减成本，以应对智能手机利润下滑。三星投资者关系主管Robert Yi在纽约表示，三星智能手机机型数量将削减25%至30%。三星发言人已经证实了这位高管的言论。但是，三星尚未公布具体的削减数量。面对众多的廉价智能手机产品，其中大多来自中国智能手机制造商，三星希望通过削减成本来获得更强的竞争...[详细]
直流电机的励磁方式

直流电机的励磁方式是指对励磁绕组如何供电、产生励磁磁通势而建立主磁场的问题。根据励磁方式的不同，直流电机可分为下列几种类型。 1．他励直流电机励磁绕组与电枢绕组无联接关系，而由其他直流电源对励磁绕组供电的直流电机称为他励直流电机，接线如图1.23（a）所示。图中M表示电动机，若为发电机，则用G表示。永磁直流电机也可看作他励直流电机。 2．并励直流电机并励直流电机的励磁绕组与电枢绕组相...[详细]
国产手机决战：押宝渠道还是技术？

国产手机决战高端系列报道之二　　近日，多家第三方市场调研公司(HIS、Counterpoint Research、IDC、Strategy Analytics、Trendforce)发布了今年第三季度智能手机市场的调研报告。数据显示，在全球范围内，除了三星、苹果之外，国产品牌几乎已经再无直接对手，而在中国国内市场，国产手机更是牢牢地占据了前三的位置。只不过，和前两个季度华为稳稳...[详细]
NCM811 电池已成车企们的新宠儿？

影响新能源车续航里程的因素有很多种：车身设计（风阻、轻量化等因素）、三电系统（电池、电机、电控）、环境因素（气候、温度），甚至还与驾驶员的驾驶习惯等有关系，从某种角度来说，这是一门「玄学」。但是最根本的影响因素还是来自于电池本身。电池种类、大小、封装方式以及热管理水平决定了这颗心脏的表现，进而影响整车性能。随着补贴政策的进一步收紧，对于电池能量密度以及续航里程提出了新的要求，同时动辄占到车...[详细]
怎样设计LED线性恒流驱动电路

LED是冷光源，工作电压低、光效高，被认为是21世纪照明的新光源。然而，目前LED照明设备投有得到普及应用的关键问题有两个，一是价格偏高；二是控制电路不稳定导致LED寿命大大降低。据统计，目前LED白光照明灯具出现的失效故障，70％左右是电源问题，20％左右是线路和结构问题，只有不到10％是LED单管的本身质量问题，所以电源管理方案的选择对于节能而言也举足轻重，这就要求在驱动电路设计中选择最...[详细]
三星或2021年推出3款可折叠手机

韩国媒体 TheLec 援引 UBI Research 消息称，三星电子明年将推出三种可折叠型的智能手机。　　UBI 表示，三星显示正在准备三种类型的折叠 OLED 面板，这表示三星电子正在开发三种折叠手机型号，这三款机型预计定名为 Galaxy Z Flip 2、Galaxy Z Fold 3 和 Galaxy Z Fold Lite，而这三款型号都将采用超薄玻璃作为覆盖层。　　...[详细]
「人汽」智能座舱“御三家”如何炼成？

“华小魅”在主战场正面对决。 2024年，新能源汽车革命的两个半场：上半场电动化、下半场智能化，中国市场与中国企业都卷出了领先优势。电动化层面，今年七月中国市场新能源渗透率首次突破50%，实现了里程碑式的突破；智能化层面，今年前五个月中国市场乘用车L2级自动驾驶渗透率同样突破了50%，且部分功能接近L3级智能驾驶水平，智能座舱的渗透率则在2023年就已经达到了66%。按照机...[详细]
家电下乡中国大陆半导体产业未分得一杯羹

全球半导体产业市占前几大业者第2季财报表现亮眼，显示全球半导体业已触底反弹，反观中国大陆半导体业则乍暖还寒，复苏情况仍显迟滞。据美国半导体协会(Semiconductor Industry Association；SIA)公布的报告显示， 2009年第2季全球半导体销售额比第1季成长17%，显示全球市场需求逐渐回升。相较之下，中国大陆半导体产业， 2009年第1季成长率大幅萎缩3...[详细]
直接胎压监测系统设计的5大挑战

美国新颁布的公路安全法规，使胎压监测系统成为汽车行业发展最为迅猛的领域，其中直接胎压监测系统将成为主导技术。本文将重点放在直接胎压监测系统上，讨论了中国汽车电子工程师们面临的设计挑战，主要包括组件选择、功耗管理、介质兼容性、系统成本以及RF设计。美国新颁布的公路安全法规，使胎压监测系统(TPMS)一跃而成汽车行业发展最为迅猛的领域。2005年4月，美国国家高速公路交通安全管理局(NHTSA)...[详细]