MCR230A

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4

厂商名称：NXP(恩智浦)

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

NXP(恩智浦)

包装说明

Reach Compliance Code

unknown

标称电路换相断开时间

35 µs

关态电压最小值的临界上升速率

100 V/us

最大直流栅极触发电流

40 mA

最大直流栅极触发电压

1.5 V

最大维持电流

100 mA

最大漏电流

1 mA

通态非重复峰值电流

250 A

最大通态电压

1.9 V

最大通态电流

25000 A

最高工作温度

100 °C

最低工作温度

-40 °C

断态重复峰值电压

100 V

表面贴装

触发设备类型

SCR

参数对比

与MCR230A相近的元器件有：MCR230A3、C233B、C233F、C232D、MCR231D3。描述及对比如下：

型号	MCR230A	MCR230A3	C233B	C233F	C232D	MCR231D3
描述	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),25A I(T),TO-203AA	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),25A I(T),TO-203AA	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-203AA	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
标称电路换相断开时间	35 µs	35 µs	25 µs	25 µs	25 µs	35 µs
关态电压最小值的临界上升速率	100 V/us	100 V/us	50 V/us	50 V/us	50 V/us	100 V/us
最大直流栅极触发电流	40 mA	40 mA	9 mA	9 mA	25 mA	20 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
最大维持电流	100 mA	100 mA	50 mA	50 mA	50 mA	100 mA
最大漏电流	1 mA	1 mA	1 mA	1 mA	1 mA	1 mA
通态非重复峰值电流	250 A	250 A	250 A	250 A	250 A	250 A
最大通态电压	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最大通态电流	25000 A	25000 A	25000 A	25000 A	25000 A	25000 A
最高工作温度	100 °C	100 °C	100 °C	100 °C	100 °C	100 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
断态重复峰值电压	100 V	100 V	200 V	50 V	400 V	400 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)