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MGFC36V5964-01

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-8, 2 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Mitsubishi(日本三菱)

厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Mitsubishi(日本三菱)
包装说明
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数
2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最大漏极电流 (ID)
2.8 A
FET 技术
JUNCTION
最高频带
C BAND
JESD-30 代码
R-CDFM-F2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
DEPLETION MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
25 W
最小功率增益 (Gp)
9 dB
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
GALLIUM ARSENIDE
参数对比
与MGFC36V5964-01相近的元器件有:MGFC36V5964-51。描述及对比如下:
型号 MGFC36V5964-01 MGFC36V5964-51
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-8, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-8, 2 PIN
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (ID) 2.8 A 2.8 A
FET 技术 JUNCTION JUNCTION
最高频带 C BAND C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 25 W 25 W
最小功率增益 (Gp) 9 dB 9 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
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