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MH25708JA-10

DRAM Module, 256KX8, 100ns, NMOS, SIMM-30

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Mitsubishi(日本三菱)

厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码
SIMM
包装说明
, SIP30,.2
针数
30
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
NIBBLE
最长访问时间
100 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XSMA-T30
JESD-609代码
e0
内存密度
2097152 bit
内存集成电路类型
DRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
30
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装等效代码
SIP30,.2
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
256
座面最大高度
18.034 mm
最大压摆率
0.52 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
NMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
参数对比
与MH25708JA-10相近的元器件有:MH25708J-85、MH25708J-10、MH25708J-15、MH25708J-12、MH25708JA-12、MH25708JA-15、BD90610HFP-E2。描述及对比如下:
型号 MH25708JA-10 MH25708J-85 MH25708J-10 MH25708J-15 MH25708J-12 MH25708JA-12 MH25708JA-15 BD90610HFP-E2
描述 DRAM Module, 256KX8, 100ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 85ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 100ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 150ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 120ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 120ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 150ns, NMOS, SIMM-30 1ch Step-Down Switching Regulator
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) -
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM -
包装说明 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30 , SIP30,.2 , SIP30,.2 -
针数 30 30 30 30 30 30 30 -
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
访问模式 NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE -
最长访问时间 100 ns 85 ns 100 ns 150 ns 120 ns 120 ns 150 ns -
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 -
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit -
内存集成电路类型 DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE -
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 -
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 -
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 30 30 30 30 30 30 30 -
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words -
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 -
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C -
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装等效代码 SIP30,.2 SIM30 SIM30 SIM30 SIM30 SIP30,.2 SIP30,.2 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY -
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
刷新周期 256 256 256 256 256 256 256 -
座面最大高度 18.034 mm 17.272 mm 17.272 mm 17.272 mm 17.272 mm 18.034 mm 18.034 mm -
最大压摆率 0.52 mA 0.56 mA 0.52 mA 0.44 mA 0.48 mA 0.48 mA 0.44 mA -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO -
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 - - -
热门器件
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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