首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

MH25708JA-15

DRAM Module, 256KX8, 150ns, NMOS, SIMM-30

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Mitsubishi(日本三菱)

厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码
SIMM
包装说明
, SIP30,.2
针数
30
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
NIBBLE
最长访问时间
150 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XSMA-T30
JESD-609代码
e0
内存密度
2097152 bit
内存集成电路类型
DRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
30
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装等效代码
SIP30,.2
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
256
座面最大高度
18.034 mm
最大压摆率
0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
NMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与MH25708JA-15相近的元器件有:MH25708J-85、MH25708JA-10、MH25708J-10、MH25708J-15、MH25708J-12、MH25708JA-12、BD90610HFP-E2。描述及对比如下:
型号 MH25708JA-15 MH25708J-85 MH25708JA-10 MH25708J-10 MH25708J-15 MH25708J-12 MH25708JA-12 BD90610HFP-E2
描述 DRAM Module, 256KX8, 150ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 85ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 100ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 100ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 150ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 120ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX8, 120ns, NMOS, SIMM-30 1ch Step-Down Switching Regulator
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) -
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM -
包装说明 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30 , SIP30,.2 -
针数 30 30 30 30 30 30 30 -
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
访问模式 NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE -
最长访问时间 150 ns 85 ns 100 ns 100 ns 150 ns 120 ns 120 ns -
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-T30 -
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit -
内存集成电路类型 DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE -
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 -
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 -
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 30 30 30 30 30 30 30 -
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words -
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 -
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C -
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装等效代码 SIP30,.2 SIM30 SIP30,.2 SIM30 SIM30 SIM30 SIP30,.2 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY -
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
刷新周期 256 256 256 256 256 256 256 -
座面最大高度 18.034 mm 17.272 mm 18.034 mm 17.272 mm 17.272 mm 17.272 mm 18.034 mm -
最大压摆率 0.44 mA 0.56 mA 0.52 mA 0.52 mA 0.44 mA 0.48 mA 0.48 mA -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO -
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 - -
6层版怎么分布层好一点
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 6层版怎么分布层好一点 看的一点资料上的,现提供如下: ...
wnzw PCB设计
【干货分享】经典储能书籍《锂离子电池:科学与技术》
推荐一本书:《锂离子电池:科学与技术》,此书由全世界锂离子电池首位发明者和奠基者亲自撰写,也是国际...
Vicctoor 下载中心专版
中 国智能家居企业输给外国哪?
智能家居起源于80年代中期的美国,上世纪末来到中国,带着全新的概念企盼搭上中国经济的高速顺风列车。经...
xyh_521 安防电子
红外接受和红外发送问题
红外发送时允许的最大误差是多大?如果误差在100us对受控制器件会有影响吗? 红外接受和红外发送问题...
zzwy 嵌入式系统
请问wince下有类似于SetBoundsRect这样的画圆角矩形函数吗?
请问wince下有类似于SetBoundsRect这样的画圆角矩形函数吗? 请问wince下有类似于...
jinwancai WindowsCE
关于cpld的倍频问题
请问cpld如果可以倍频的话怎么实现?哪些cpld含有pll?谢谢 关于cpld的倍频问题 可惜我们...
eeleader FPGA/CPLD
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
需要登录后才可以下载。
登录取消