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MJD45H11-1G

额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=80V,Ic=8A

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

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器件:MJD45H11-1G

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
包装说明
ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数
4
制造商包装代码
369
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
1 week
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
8 A
集电极-发射极最大电压
80 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
40
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
20 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
40 MHz
Base Number Matches
1
参数对比
与MJD45H11-1G相近的元器件有:MJD44H11T4G、MJD45H11T4G、MJD45H11G、MJD44H11-1G、MJD44H11G。描述及对比如下:
型号 MJD45H11-1G MJD44H11T4G MJD45H11T4G MJD45H11G MJD44H11-1G MJD44H11G
描述 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=80V,Ic=8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=80V,Ic=8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:PNP P型晶体管80V/8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=80V,Ic=8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=80V,Ic=8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=80V,Ic=8A
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
包装说明 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
针数 4 3 3 3 4 3
制造商包装代码 369 369C 369C 369C 369 369C
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 1 week 1 week 1 week 1 week 1 week
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 40 40 40
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 2 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260
极性/信道类型 PNP NPN PNP PNP NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES YES NO YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 40 MHz 85 MHz 90 MHz 90 MHz 50 MHz 85 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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