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MMBT4400S62Z

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Fairchild

厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Fairchild
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
1 A
集电极-发射极最大电压
40 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
20
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
255 ns
最大开启时间(吨)
35 ns
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参数对比
与MMBT4400S62Z相近的元器件有:MMBT4400L99Z。描述及对比如下:
型号 MMBT4400S62Z MMBT4400L99Z
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 255 ns 255 ns
最大开启时间(吨) 35 ns 35 ns
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