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MPSH11D27Z

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Fairchild

厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Fairchild
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)
0.05 A
基于收集器的最大容量
0.7 pF
集电极-发射极最大电压
25 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
60
最高频带
VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.35 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
650 MHz
参数对比
与MPSH11D27Z相近的元器件有:MPSH11L34Z。描述及对比如下:
型号 MPSH11D27Z MPSH11L34Z
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
基于收集器的最大容量 0.7 pF 0.7 pF
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 650 MHz 650 MHz
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