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MSM54V16258A-40JS

描述:
EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40,
分类:
存储    存储   
文件大小:
1MB,共22页
制造商:
概述
EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40,
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
SOJ, SOJ40,.44
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
40 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J40
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
16
端子数量
40
字数
262144 words
字数代码
256000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ40,.44
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
自我刷新
NO
最大待机电流
0.003 A
最大压摆率
0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
文档预览
参数对比
与MSM54V16258A-40JS相近的元器件有:MSM54V16258A-45TS-K、MSM54V16258SL-40JS、MSM54V16258A-40TS-K、MSM54V16258SL-40TS-K、MSM54V16258A-45JS、MSM54V16258SL-45JS。描述及对比如下:
型号 MSM54V16258A-40JS MSM54V16258A-45TS-K MSM54V16258SL-40JS MSM54V16258A-40TS-K MSM54V16258SL-40TS-K MSM54V16258A-45JS MSM54V16258SL-45JS
描述 EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, EDO DRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO40, EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, EDO DRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO40, EDO DRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO40,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 SOJ, SOJ40,.44 TSOP, TSOP40/44,.46,32 SOJ, SOJ40,.44 TSOP, TSOP40/44,.46,32 TSOP, TSOP40/44,.46,32 SOJ, SOJ40,.44 SOJ, SOJ40,.44
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 40 ns 45 ns 40 ns 40 ns 40 ns 45 ns 45 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J40 R-PDSO-G40 R-PDSO-J40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-J40 R-PDSO-J40
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16
端子数量 40 40 40 40 40 40 40
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ TSOP SOJ TSOP TSOP SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ40,.44 TSOP40/44,.46,32 SOJ40,.44 TSOP40/44,.46,32 TSOP40/44,.46,32 SOJ40,.44 SOJ40,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512 512 512
自我刷新 NO NO YES NO YES NO YES
最大待机电流 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A
最大压摆率 0.14 mA 0.125 mA 0.14 mA 0.14 mA 0.14 mA 0.125 mA 0.125 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND GULL WING J BEND GULL WING GULL WING J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 0.8 mm 1.27 mm 0.8 mm 0.8 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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