参数对比

与MSM54V16258A-45JS相近的元器件有：MSM54V16258A-45TS-K、MSM54V16258SL-40JS、MSM54V16258A-40JS、MSM54V16258A-40TS-K、MSM54V16258SL-40TS-K、MSM54V16258SL-45JS。描述及对比如下：

型号	MSM54V16258A-45JS	MSM54V16258A-45TS-K	MSM54V16258SL-40JS	MSM54V16258A-40JS	MSM54V16258A-40TS-K	MSM54V16258SL-40TS-K	MSM54V16258SL-45JS
描述	EDO DRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO40,	EDO DRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO40,	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40,	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40,	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40,	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40,	EDO DRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO40,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明	SOJ, SOJ40,.44	TSOP, TSOP40/44,.46,32	SOJ, SOJ40,.44	SOJ, SOJ40,.44	TSOP, TSOP40/44,.46,32	TSOP, TSOP40/44,.46,32	SOJ, SOJ40,.44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	45 ns	45 ns	40 ns	40 ns	40 ns	40 ns	45 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J40	R-PDSO-G40	R-PDSO-J40	R-PDSO-J40	R-PDSO-G40	R-PDSO-G40	R-PDSO-J40
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16
端子数量	40	40	40	40	40	40	40
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	TSOP	SOJ	SOJ	TSOP	TSOP	SOJ
封装等效代码	SOJ40,.44	TSOP40/44,.46,32	SOJ40,.44	SOJ40,.44	TSOP40/44,.46,32	TSOP40/44,.46,32	SOJ40,.44
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512	512	512	512
自我刷新	NO	NO	YES	NO	NO	YES	YES
最大待机电流	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A
最大压摆率	0.125 mA	0.125 mA	0.14 mA	0.14 mA	0.14 mA	0.14 mA	0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	GULL WING	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND
端子节距	1.27 mm	0.8 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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宽带无线传输技术分析.: 宽带无线传输技术分析. WLAN、WiMAX是近年来逐步商用的宽带无线传输手段，与传统的微波传输系...; mdreamj 无线连接

变频器逆变模块内部的温度检测电阻为什么不用？: 现在的逆变模块内部都集成了NTC温度检测电阻，但是为什么厂家都不使用模块内部的温度检测电阻，而是另...; 乱世煮酒论天下电机控制

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模拟串口的C语言代码

本程序是模拟串口硬件机制写的，使用时可设一定时中断，时间间隔为1/4波特率，每中断一次调用一次接收函数，每中断4次调用一次发送函数,不过.对单片机来说时钟并须要快.要知道9600的波特率的每个BIT的时间间隔是104us.而单片机中断一次压栈出栈一次的时间是20us左右(标准的51核12M晶体)这样处理时间就要考虑清楚了.呵呵.以下程序是放在定时器中断程序函数内的 //接收部分 sbit ...[详细]
制作51单片电容频率仪的方法及步骤

　　单片机又称单片微控制器，它不是完成某一个逻辑功能的芯片，而是把一个计算机系统集成到一个芯片上。概括的讲，一块芯片就成了一台计算机。　　单片机具有体积小、质量轻、价格便宜的特点。同时，学习使用单片机是了解计算机原理与结构的最佳选择。今天，小编就带大家来见识一下，牛人在业余条件下是怎样制作51单片电容频率仪的吧~ 　　　　51单片电容频率仪　　　　51单片电容频...[详细]
便携式应用设备电源设计的未来发展

如今，随着集成功能的不断增加，移动电话还可作为便携式媒体播放器（PMP）、数码相机、掌上电脑（PDA）、甚至全球定位系统（GPS）使用。如何获得更加逼真的显示、突破热瓶颈、高效智能地管理电源是系统设计人员当前面临的挑战。美国国家半导体（National Semiconductor）为便携式应用设备提供了多种电源管理解决方案：（1）智能WLED背光驱动器；（2）适用于射频功率放大器（RF P...[详细]
下一代汽车照明电源

引言纵观整个汽车照明设备的发展历史，电源始终扮演着重要角色。起初，汽车仅需要前灯，以便在黑暗中看清道路。随后，为了安全以及更好地协调不断增长的交通流量，增加了其它光源 — 尾灯、指示灯等。报警和雾灯在极端情况下提供了特殊功能。内部光源，如仪表板、顶灯、地图灯、开门灯等为驾驶员和乘客提供了便利。除了早期型号，所有这些光源均采用电能供电并且使用白炽灯泡。最近几年，其它光源，如发光二极管(...[详细]
VXI总线测试设计

引言在托卡马克等离子体物理放电过程中，破裂与据齿的研究具有重要的意义。在大多数托卡马克放电过程中都存在破裂与锯齿。破裂是一个值得注意的事件，其间等离子体的约束遭到严重的破坏，它不仅限制了等离子体的电流和密度的运行区域，而且它造成的机械应力和热负荷给等离子体容器壁带来严重损害。对破裂，目前在理论上仍缺乏详尽理解，大体上可将其分为低q破裂和密度极限破裂。利用村上（Murakami）参数作横...[详细]
不到1300元山寨Galaxy S III更多细节曝光

三星刚出的旗舰新机Galaxy S III固然不错，但是高昂的价格不是每个人都能承受的起。昨天我们报道了一部山寨版的i9300，而现在该机价格和具体配置已经全部出炉。　　这款山寨的Galaxy S III名叫HDC Galaxy S3，其外形甚至UI界面都与原型机异常相似。该机的三围为138×70×9.2mm，配备了一块4.7寸触摸屏，分辨率只有800×480像素。　　该机还搭载了...[详细]
穿越?去年7月已经有人知道Google要推出Nexus 7？

广受欢迎的“Ninja Unboxing” 节目放出了Nexus 7的相关视频，并由著名解说人George St-Pierre来扮演“Dr Paul”来开箱Nexus 7，以一种幽默方式来讲述忍者和平板之间发生的有趣故事。不过最有趣的是这段视频竟然是去年7月份时候放到Youtube上，是微软在去年就已经有这个念头了还是他们未卜先知不不得而知了。 ...[详细]
RIM复苏秘密武器：8000万忠诚用户

黑莓9790在印尼发售时，雅加达有数千人在商场外排队等候　　北京时间7月12日凌晨消息，认为一家拥有近8000万名用户的公司已经陷入“死亡螺旋”听起来是件滑稽的事情，但这正是RIM目前所面临的处境。　　在RIM令人失望地蒙受了季度亏损、警告未来还将面临更多亏损、以及宣布推迟黑莓10智能手机的发布时间以后，许多人都正在质疑这家公司是否还具备继续运营下去的能力。在昨天召开的RIM年度股东大...[详细]
22nm制程撑腰　Intel手机芯片威力大增

英特尔(Intel)下一代手机晶片平台竞争力将更甚以往。挟制程领先优势，英特尔计划于2013年发表新一代行动装置晶片平台--Silvermont，将采用现今最先进的22奈米和三闸极(Tri-Gate)电晶体技术，可望解决过往最为人诟病的功耗与尺寸问题，并与ARM处理器阵营的28奈米方案相互匹敌。 Gartner无线研究部门总监洪岑维认为，除英特尔外，联发科整并晨星后也可望成为手机晶...[详细]
智能机出货价跌破300元:不支持3G和视频通话

　没有最低，只有更低，这难道是手机江湖的不二法则吗？而现在，连智能手机也羞羞答答报出了“白菜价”。　　在车公庙和部分3C电商网站，南都记者看到一款名为小蜜蜂的手机，出货定价299元，刷新了目前智能机市场的新低。记者在配置表上看到，这款型号为IOCO i9900的3.2英寸电容触屏机主频为1G，MTK 6515智能平台赫然在列，android2.3操作系统也是如假包换，WIFI、双卡双待也...[详细]
电源管理带来挑战

随着蜂窝电话变得越来越先进，系统工作时的功耗以及待机时的功耗也随之增加。因此，便携式无线设备的电源管理设计在 I/O 接口、能量管理以及电池使用寿命方面都面临着新的挑战。数字设计人员在业界率先实施了采用超深亚微米(0.13μm、0.09μm及0.065μm)的微处理器，他们发现，采用更薄的氧化物以及更短的通道长度能够产生速度更快的晶体管。模拟基带 (ABB) 与射频 (RF) 设计人员也紧随...[详细]
简化隔离式开关电源同步整流器设计的一种智能型驱动器

　一、引言　　在电源转换领域，输出直流电压不高的隔离式转换器（正激式、回扫式、双端式）都使用 MOSFET作为整流器件。由於这些器件上的导通损耗较小，能够提高效率，因而应用越来越广泛。　　为了这种电路能够正常运作，必须对同步整流器（SR）加以控制，这是基本的要求。同步整流器是用来取代二极管的，所以必须选择适当的方法，按照二极管的工作规律来驱动同步整流器。驱动信号必须用PWM控制信号来形成...[详细]
DSP／BIOS在电能质量监测终端中的应用

　　DSP(数字信号处理器)在现今的工程应用中使用越来越频繁。其原因主要有三点：第一，它具有强大的运算能力，能够胜任FFT、数字滤波等各种数字信号处理算法；第二，各大DSP厂商都为自己的产品设计了相关的IDE(集成开发环境)，使得DSP应用程序的开发如虎添翼；第三，具有高性价比，相对于它强大的性能，不高的价格有着绝对的竞争力。　　TI为本公司的DSP设计了集成可视化开发环境CCS(Code...[详细]
SURFnet, Opnext完成100Gbps相干传输实验

7/10/2012，Opnext和荷兰国家教育科研网SURFnet联合宣布完成阿姆斯特丹国家超级计算中心到日内瓦欧洲核子研究中心CERN的1650公里100Gbps相干现场传输实验。Opnext为实验提供了OTS-100FLX 100Gbps 数字相干子系统。该产品基于下一代的100Gbps单载波，软件判决FEC等先进技术。为了进一步演示传输系统的性能，光纤链路中还包括了多段高非线性光纤。实际上...[详细]
科学家造出芯片人体器官可代替动物进行药物试验

　　漂浮在瓶子里的人体器官是电影里科学家实验室的重要配置，而哈佛大学怀斯研究所的研究人员做得更精彩，他们在一个芯片上制造出器官：一个跟拇指驱动器(或者说跟拇指)差不多大小的装置，含有活体细胞，可模拟人体器官的活动。　　研究人员已经在芯片上制造出肺、肠、肾和骨髓。心脏正在研制过程中。这种装置会大大简化药物试验过程———当前这个过程既昂贵低效又会造成许多动物死亡———并有助于了解疾病是如何产生的。 ...[详细]