MT28F008S2SG-12,MT28F008S2SG-12 pdf中文资料,MT28F008S2SG-12引脚图,MT28F008S2SG-12电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与MT28F008S2SG-12相近的元器件有：MT28F008S2SG-9、MT28F008S2VG-12、MT28F008S2VG-9、MT28F008S2VG-7。描述及对比如下：

型号	MT28F008S2SG-12	MT28F008S2SG-9	MT28F008S2VG-12	MT28F008S2VG-9	MT28F008S2VG-7
描述	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44	Flash, 1MX8, 90ns, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40	Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40	Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	SOIC	SOIC	TSOP1	TSOP1	TSOP1
包装说明	0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44	0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44	TSOP1,	TSOP1,	10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40
针数	44	44	40	40	40
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	90 ns	120 ns	90 ns	70 ns
其他特性	SELECTABLE 3V OR 5V VPP	SELECTABLE 3V OR 5V VPP	SELECTABLE 3V OR 5V VPP	SELECTABLE 3V OR 5V VPP	SELECTABLE 3V OR 5V VPP
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G40	R-PDSO-G40	R-PDSO-G40
长度	28.195 mm	28.195 mm	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bi
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	40	40	40
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	TSOP1	TSOP1	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.7 mm	2.7 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	12.6 mm	12.6 mm	10 mm	10 mm	10 mm
JESD-609代码	-	-	e3	e3	e3
端子面层	-	-	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN

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基于ucos操作系统的LED闪烁、串口通信简单例程

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中国能建承建的浙江省首座储能站并网

　　8月8日，中国能建浙江火电承建的浙江省第一座储能电站——浙江余杭未来科技城锂电储能项目正式并网。　　该储能电站位于浙江省杭州市余杭区未来科技城110千伏油车变西侧，由1个控制舱、2个变压器舱和2个蓄电池舱组成，是浙江省首座10千伏储能电站。该储能电站投运后，可提升余杭未来科技城电力供应保障水平。储能电站在电网中可以起到削峰填谷的作用，改善电网运行曲线，用电低谷时向电池组充电储能，用电...[详细]
M2M应用的兴起与挑战

文/u-blox公司市场部副总裁赫伯特布拉斯特(Herbert Blaser,) u-blox公司产品通信部经理卡尔冯哲(Carl Fenger) 中国北京，2013年3月27日--随着接入互联网的机器（Machine）数量的增多，甚至超过互联网使用的人数。随之带来的是，机器对机器（machine-to-machine，即“M2M”）通信将有望在2013年中历史性地首次超越人对人通信。通信机器...[详细]
Stratasys与GE医疗中国战略合作

3D 打印和增材制造解决方案的全球领导者 Stratasys中国（以下简称Stratasys ）与通用电气医疗中国（以下简称GE医疗）达成战略合作。Stratasys 大中华区总经理翟莲子女士、GE医疗集团大中华区首席运营官郑萍女士、GE医疗集团大中华区AW产品部总经理徐一智先生出席签字仪式。双方将在销售、市场、服务、3D打印中心共享等领域开展多赢合作，一起助力中国医疗领域的技术革新，为患者带来...[详细]
OBD监测大数据平台开发与建设

01 国六 OBD 远程监控的背景最新发布的法规《重型柴油车污染排放限制及测量方法（中国第六阶段）GB17691-2018 中，其 9.3.5 条定义了在新车下线时需进行相应远程终端的抽查（数据一致性）；附录 Q 也明确约定了车辆加装远程排放监控终端的规范：在国六 a 阶段，车辆需要加装该终端，但不强制要求数据上传，但是在国六 b 阶段，强制要求通过企业平台上传该数据到国家平台...[详细]
效率高达95.3%，Flex高性价比4-8A超小型PoL稳压器问市

价格合理的高质量稳压器具有出色的性价比环路优化和可配置软启动功能可实现灵活简单的设计超小型7.5mm×7.5mm×5.4mm封装可节省电路板空间效率高达95.3%，并且具有出色的散热性能 Flex电源模块（Flex Power Modules）新推出的PMU8000系列负载点（PoL）转换器，可以以紧凑扁平封装提供出色的性价比。新型稳压器在半载时的典型效率高达95.3%，并...[详细]
模拟领域技术人才欠缺双极设计工程师一将难求

如果你认为要找到优秀的工程师不容易，试试寻找一位懂得双极(bipolar)设计专业的工程师就知道什么才真是困难了! 　　事实上，随着模拟设计不断突破更低噪音极限以及频率越来越高，业界对于更专业的双极电路设计需求也不断提升，凌力尔特(Linear Technology)公司CTO Bob Dobkin指出，大学院校的毕业生缺乏双极技术的专业，正成为业界的一大问题。　　“我们缺少可推动双极技术...[详细]
3G业务低迷 RF功率半导体深受影响

　　ABI Research公司在一分市场报告中表示，预计3G蜂窝业务将继续下跌，而这将影响为其供货的半导体市场，尤其是RF功率半导体领域。　　ABI Research在该报告中指出，频率4GHz以下的RF功率半导体产品市场主要分为六个部分：无线架构、军用、ISM（工业/科学/医疗）、广播、商业化航空电子和非蜂窝式通信。　　ABI Research表示：“从2007年至2012年，无线架...[详细]
中国计算机报：AVS中国标准闯过三重门

　　破解国际标准游戏规则为AVS工作组的建立和发展起到了铺垫作用。　　AVS的创新不仅体现在技术上，它还开创了一条技术、标准、知识产权协调发展的道路。　　破局专利丛林，AVS成功蜕变为具有自主知识产权的中国国家标准。　　在创立已有十余年的国际标准体系之外再做一套具有中国自主知识产权的AVS标准，这在当年曾经被外界刻薄地比作“痴人说梦”，然而，AVS却做到了。在十年磨砺、闯过三重门之后...[详细]
安森美半导体推出新的晶闸管浪涌保护器件系列

新的NPxxx晶闸管浪涌保护器件(TSPD)非常适合于调制解调器、住宅网关和中心局接入设备中电信电路的浪涌保护 2007年11月19日 –全球领先的高能效电源半导体解决方案供应商安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD)，扩充了公司的电路保护解决方案阵容。 NPxxx系列的44款器件为...[详细]
从台积电、三星、中芯接班异动看晶圆代工竞局

2017年10月可谓是全球晶圆代工业者接班议题最为火热的时期，不但2日台积电张忠谋董事长宣布将于2018年6月退休，双首长平行领导接续，刘德音将接任董事长、魏哲家担任总裁；且10月中旬三星电子宣布，掌管三星电子半导体与面板事业且身为主要功臣的副会长暨共同执行长权五铉，将宣布退休，此也震撼南韩财经界与科技业；再者中芯国际16日任命出身台积电的梁孟松，为中芯国际联合首席执行官兼执行董事，与赵海军共...[详细]
人工智能产业泡沫显现行业或迎调整期

2016年，“AlphaGo”用深度学习、理性思考的对弈击败人脑，直接将人工智能再次推至聚光灯下。随着基础算法、智能硬件和网络条件等要素的发展、成熟，人工智能在经历了一段不短的探索期后，似乎看到了“羽翼丰满”后爆发的曙光。　　但业内不少专家却有些担忧，认为目前人工智能行业存在泡沫，并且整个行业将迎来调整，这无疑从一个侧面揭示了目前人工智能领域发展的一些现状。在仍需深耕基础研究、拓宽应用场景甚...[详细]
苹果8月开始采购芯片台湾多家企业受益

7月18日消息，据台湾《工商时报》消息，半导体市场第3季旺季不旺已成定局，不过，苹果下半年将推出的Macbook Air、iPhone 4S、iPad 3等新产品，已经完成产品规格的认证，据业界人士指出，苹果已要求芯片供应商开始备货，8月下旬可望启动采购动作。　　吃到苹果直接或间接订单的半导体厂，如台积电、日月光、颀邦、欣铨、安恩、景硕等，第3季表现可望优于同业。 ...[详细]
5G 手机，着急也是没用的

国产手机的发布会，从不缺少比较和竞争。但在 9 月 26 日华为 Mate 30 的国内发布会上，这种火药味似乎格外浓烈： “我们已经干翻了苹果”，“我们的普通版拍照体验把别人旗舰版都干翻了。当然，他们也有了很大的改进，但是距离我们还有差距”……外号“余大嘴”的余承东继续向对手开炮。也是，毕竟前几天，“生死看淡不服就干”之后就放飞自我的雷军，又在发布会上喊出“看我们是如何把友商按在地上摩擦的...[详细]
第三代半导体生产工具获突破！将缓解车企芯片短缺

美国应用材料公司（Applied Materials）当地时间9月8日（本周三）发布了两款新工具，旨在提高新型电动汽车芯片的制造效率。应用材料公司是世界上最大的半导体制造工具生产商，致力于推进和改善汽车芯片、传感器和其他设备的芯片制造技术。周三宣布的第一款工具用于生产一种叫做碳化硅的材料。而碳化硅和其他几类材料被称为第三代半导体。这类芯片在特斯拉公司生产的电动车中越来越受欢...[详细]