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MTD20N06HD-1

Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ON Semiconductor(安森美)
包装说明
CASE 369D-01, DPAK-3
针数
3
制造商包装代码
CASE 369D-01
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
60 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
最大漏极电流 (ID)
20 A
最大漏源导通电阻
0.045 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e0
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
60 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与MTD20N06HD-1相近的元器件有:MTD20N06HD、MTD20N06HDT4。描述及对比如下:
型号 MTD20N06HD-1 MTD20N06HD MTD20N06HDT4
描述 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 CASE 369D-01, DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3
制造商包装代码 CASE 369D-01 CASE 369C-01 369C
Reach Compliance Code _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
雪崩能效等级(Eas) 60 mJ - 60 mJ
外壳连接 DRAIN - DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V - 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 20 A - 20 A
最大漏极电流 (ID) 20 A - 20 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω - 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 - R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 - e0
湿度敏感等级 1 - 1
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - 240
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 40 W - 40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 60 A - 60 A
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE - GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - 30
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
Is Samacsys - N N
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