MTM8P18

TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,8A I(D),TO-3

厂商名称：NXP(恩智浦)

参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

NXP(恩智浦)

包装说明

Reach Compliance Code

unknown

配置

Single

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

极性/信道类型

P-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

125 W

表面贴装

文档预览

参数对比

与MTM8P18相近的元器件有：MTH8P18。描述及对比如下：

型号	MTM8P18	MTH8P18
描述	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,8A I(D),TO-3	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,8A I(D),TO-218AC
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code	unknown	unknown
配置	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A	8 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W	125 W
表面贴装	NO	NO

热门器件

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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