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MUN5316DW1T1

PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363
PRE-BIASED 数字 晶体管,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:LRC

厂商官网:http://www.lrc.cn

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器件:MUN5316DW1T1

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
LRC
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)
160
元件数量
2
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
0.385 W
表面贴装
YES
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与MUN5316DW1T1相近的元器件有:MUN53xxDW1T1、MUN5333DW1T1、MUN5332DW1T1、MUN5331DW1T1、MUN5315DW1T1、MUN5313DW1T1、MUN5312DW1T1。描述及对比如下:
型号 MUN5316DW1T1 MUN53xxDW1T1 MUN5333DW1T1 MUN5332DW1T1 MUN5331DW1T1 MUN5315DW1T1 MUN5313DW1T1 MUN5312DW1T1
描述 PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363 PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363 PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363 PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363 PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363 PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363 PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363 PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363
厂商名称 LRC - LRC LRC LRC LRC LRC LRC
Reach Compliance Code unknown - unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 160 - 80 15 8 160 80 60
元件数量 2 - 2 2 2 2 2 2
极性/信道类型 PNP - PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.385 W - 0.385 W 0.385 W 0.385 W 0.385 W 0.385 W 0.385 W
表面贴装 YES - YES YES YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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