首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

NTD85N02R-1G

MOSFET 24V 85A N-Channel

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

下载文档
NTD85N02R-1G 在线购买

供应商:

器件:NTD85N02R-1G

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
包装说明
LEAD FREE, CASE 369D, IPAK-3
针数
4
制造商包装代码
369
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
85 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12 A
最大漏极电流 (ID)
85 A
最大漏源导通电阻
0.0052 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
78.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
192 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与NTD85N02R-1G相近的元器件有:NTD85N02R-001、NTD85N02RG、NTD85N02RT4、NTD85N02R。描述及对比如下:
型号 NTD85N02R-1G NTD85N02R-001 NTD85N02RG NTD85N02RT4 NTD85N02R
描述 MOSFET 24V 85A N-Channel MOSFET 24V 85A N-Channel MOSFET 24V 85A N-Channel MOSFET 24V 85A N-Channel MOSFET 24V 85A N-Channel
包装说明 LEAD FREE, CASE 369D, IPAK-3 CASE 369D, IPAK-3 LEAD FREE, CASE 369AA, DPAK-3 CASE 369AA, DPAK-3 CASE 369AA, DPAK-3
针数 4 3 3 3 3
制造商包装代码 369 CASE 369D CASE 369AA CASE 369AA CASE 369AA
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
雪崩能效等级(Eas) 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 24 V 24 V 24 V 24 V 24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 12 A 32 A 12 A 12 A 12 A
最大漏极电流 (ID) 85 A 85 A 85 A 85 A 85 A
最大漏源导通电阻 0.0052 Ω 0.0052 Ω 0.0052 Ω 0.0052 Ω 0.0052 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e0 e3 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 240 260 240 240
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 78.1 W 2.4 W 78.1 W 78.1 W 78.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 192 A 192 A 192 A 192 A 192 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 40 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - -
Base Number Matches 1 1 - - 1
是否Rohs认证 - 不符合 符合 不符合 不符合
湿度敏感等级 - - 1 1 1
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
需要登录后才可以下载。
登录取消