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OM6408SDV

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：International Rectifier （ Infineon ）

厂商官网：http://www.irf.com/

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参数 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
International Rectifier （ Infineon ）
包装说明
FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16
Reach Compliance Code
compliant
其他特性
HIGH RELIABILITY
外壳连接
ISOLATED
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (ID)
4.5 A
最大漏源导通电阻
1.6 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-MDFM-F16
JESD-609代码
e0
元件数量
4
端子数量
16
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
235
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
18 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
TIN LEAD
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与OM6408SDV相近的元器件有：OM6407SDT、OM6405SDT、OM6406SD、OM6406SDT、OM6406SDV、OM6408SDT。描述及对比如下：
型号 OM6408SDV OM6407SDT OM6405SDT OM6406SD OM6406SDT OM6406SDV OM6408SDT
描述 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16 Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.05ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16 FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16 FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16 FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16 FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16 FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16 FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 400 V 100 V 200 V 200 V 200 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 4.5 A 5.5 A 14 A 9 A 9 A 9 A 4.5 A
最大漏源导通电阻 1.6 Ω 1.05 Ω 0.2 Ω 0.44 Ω 0.44 Ω 0.44 Ω 1.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-MDFM-F16 R-MDFM-F16 R-MDFM-F16 R-MDFM-F16 R-MDFM-F16 R-MDFM-F16 R-MDFM-F16
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 4 4 4 4 4 4 4
端子数量 16 16 16 16 16 16 16
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 235 235 235 235 235 235 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 18 A 20 A 30 A 25 A 25 A 25 A 18 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
针数 - - 16 16 16 16 -
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
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