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P4C1024-20P3C

Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Pyramid Semiconductor Corporation

厂商官网:http://www.pyramidsemiconductor.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP32,.3
针数
32
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.B
最长访问时间
20 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDIP-T32
JESD-609代码
e0
长度
40.64 mm
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
128KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP32,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最大待机电流
0.02 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与P4C1024-20P3C相近的元器件有:P4C1024-25P3I、P4C1024-20J3I、P4C1024-35J4I。描述及对比如下:
型号 P4C1024-20P3C P4C1024-25P3I P4C1024-20J3I P4C1024-35J4I
描述 Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32 Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32 Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP SOJ SOJ
包装说明 DIP, DIP32,.3 DIP, DIP32,.3 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 SOJ, SOJ32,.44
针数 32 32 32 32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B EAR99 3A991.B.2.B EAR99
最长访问时间 20 ns 25 ns 20 ns 35 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 40.64 mm 40.64 mm 20.955 mm 20.955 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP SOJ SOJ
封装等效代码 DIP32,.3 DIP32,.3 SOJ32,.34 SOJ32,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 3.7592 mm 3.7592 mm
最大待机电流 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.16 mA 0.165 mA 0.175 mA 0.16 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND J BEND
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 8.56 mm 11.76 mm
厂商名称 - Pyramid Semiconductor Corporation Pyramid Semiconductor Corporation Pyramid Semiconductor Corporation
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器件捷径:
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