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PDTC123ET,215

NPN,Vceo=50V,Ic=100mA

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Nexperia

厂商官网:https://www.nexperia.com

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Nexperia
厂商名称
Nexperia
零件包装代码
TO-236
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
制造商包装代码
SOT23
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Samacsys Description
PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
其他特性
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
基于收集器的最大容量
3.5 pF
集电极-发射极最大电压
50 V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)
30
JEDEC-95代码
TO-236AB
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
0.25 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
VCEsat-Max
0.3 V
参数对比
与PDTC123ET,215相近的元器件有:PDTC123ETVL、PDTC123EU,115、PDTC123EM,315、PDTC123EE,115。描述及对比如下:
型号 PDTC123ET,215 PDTC123ETVL PDTC123EU,115 PDTC123EM,315 PDTC123EE,115
描述 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA PDTC123ET/SOT23/TO-236AB TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm DFN 3-Pin PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm SC-75 3-Pin
Brand Name Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia
零件包装代码 TO-236 TO-236 SC-70 DFN SC-75
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 PLASTIC PACKAGE-3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 CHIP CARRIER, R-PBCC-N3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 3
制造商包装代码 SOT23 SOT23 SOT323 SOT883 SOT416
厂商名称 Nexperia Nexperia - Nexperia -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant -
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 -
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A -
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR -
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30 30 -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PBCC-N3 -
JESD-609代码 e3 - e3 e3 -
湿度敏感等级 1 - 1 1 -
元件数量 1 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 3 -
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE CHIP CARRIER -
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES YES YES -
端子面层 Tin (Sn) - Tin (Sn) Tin (Sn) -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING NO LEAD -
端子位置 DUAL DUAL DUAL BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 40 NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON -
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