Q62702-F135

800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18

器件类别：半导体分立半导体

厂商名称：SIEMENS

厂商官网：http://www.infineon.com/

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器件参数

参数名称

属性值

端子数量

晶体管极性

NPN

最大导通时间

20 ns

最大关断时间

213 ns

最大集电极电流

0.8000 A

最大集电极发射极电压

30 V

加工封装描述

TO-18, 3 PIN

状态

DISCONTINUED

包装形状

圆

包装尺寸

圆柱形的

端子形式

线

端子位置

BOTTOM

包装材料

金属

结构

单一的

壳体连接

COLLECTOR

元件数量

晶体管应用

开关

晶体管元件材料

硅

最大环境功耗

0.5000 W

晶体管类型

通用小信号

最小直流放大倍数

额定交叉频率

250 MHz

参数对比

与Q62702-F135相近的元器件有：2N2222、Q68000-A4573、Q62702-F134。描述及对比如下：

型号	Q62702-F135	2N2222	Q68000-A4573	Q62702-F134
描述	800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18	800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18	800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18	800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
端子数量	3	3	3	3
端子形式	线	WIRE	线	线
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
元件数量	1	1	1	1
晶体管应用	开关	SWITCHING	开关	开关
晶体管元件材料	硅	SILICON	硅	硅
晶体管极性	NPN	-	NPN	NPN
最大导通时间	20 ns	-	20 ns	20 ns
最大关断时间	213 ns	-	213 ns	213 ns
最大集电极电流	0.8000 A	-	0.8000 A	0.8000 A
最大集电极发射极电压	30 V	-	30 V	30 V
加工封装描述	TO-18, 3 PIN	-	TO-18, 3 PIN	TO-18, 3 PIN
状态	DISCONTINUED	-	DISCONTINUED	DISCONTINUED
包装形状	圆	-	圆	圆
包装尺寸	圆柱形的	-	圆柱形的	圆柱形的
包装材料	金属	-	金属	金属
结构	单一的	-	单一的	单一的
壳体连接	COLLECTOR	-	COLLECTOR	COLLECTOR
最大环境功耗	0.5000 W	-	0.5000 W	0.5000 W
晶体管类型	通用小信号	-	通用小信号	通用小信号
最小直流放大倍数	50	-	50	50
额定交叉频率	250 MHz	-	250 MHz	250 MHz