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Q68000-A4573

800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:SIEMENS

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
3
晶体管极性
NPN
最大导通时间
20 ns
最大关断时间
213 ns
最大集电极电流
0.8000 A
最大集电极发射极电压
30 V
加工封装描述
TO-18, 3 PIN
状态
DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸
圆柱形的
端子形式
线
端子位置
BOTTOM
包装材料
金属
结构
单一的
壳体连接
COLLECTOR
元件数量
1
晶体管应用
开关
晶体管元件材料
最大环境功耗
0.5000 W
晶体管类型
通用小信号
最小直流放大倍数
50
额定交叉频率
250 MHz
参数对比
与Q68000-A4573相近的元器件有:2N2222、Q62702-F135、Q62702-F134。描述及对比如下:
型号 Q68000-A4573 2N2222 Q62702-F135 Q62702-F134
描述 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
端子数量 3 3 3 3
端子形式 线 WIRE 线 线
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
元件数量 1 1 1 1
晶体管应用 开关 SWITCHING 开关 开关
晶体管元件材料 SILICON
晶体管极性 NPN - NPN NPN
最大导通时间 20 ns - 20 ns 20 ns
最大关断时间 213 ns - 213 ns 213 ns
最大集电极电流 0.8000 A - 0.8000 A 0.8000 A
最大集电极发射极电压 30 V - 30 V 30 V
加工封装描述 TO-18, 3 PIN - TO-18, 3 PIN TO-18, 3 PIN
状态 DISCONTINUED - DISCONTINUED DISCONTINUED
包装形状 -
包装尺寸 圆柱形的 - 圆柱形的 圆柱形的
包装材料 金属 - 金属 金属
结构 单一的 - 单一的 单一的
壳体连接 COLLECTOR - COLLECTOR COLLECTOR
最大环境功耗 0.5000 W - 0.5000 W 0.5000 W
晶体管类型 通用小信号 - 通用小信号 通用小信号
最小直流放大倍数 50 - 50 50
额定交叉频率 250 MHz - 250 MHz 250 MHz
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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