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RU4B(Z)

Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 800V V(RRM),

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Galaxy Microelectronics

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Code
unknown
配置
SINGLE
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.6 V
最大非重复峰值正向电流
50 A
元件数量
1
最高工作温度
150 °C
最大输出电流
3 A
最大重复峰值反向电压
800 V
最大反向恢复时间
0.1 µs
表面贴装
NO
参数对比
与RU4B(Z)相近的元器件有:RU4Y(Z)、RU4C(Z)、RU4Z(Z)、RU4(Z)。描述及对比如下:
型号 RU4B(Z) RU4Y(Z) RU4C(Z) RU4Z(Z) RU4(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3.5A, 100V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, 1000V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3.5A, 200V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 400V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.6 V 1.3 V 1.6 V 1.3 V 1.5 V
最大非重复峰值正向电流 50 A 70 A 50 A 70 A 50 A
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 3 A 3.5 A 2.5 A 3.5 A 3 A
最大重复峰值反向电压 800 V 100 V 1000 V 200 V 400 V
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
厂商名称 Galaxy Microelectronics - Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
Base Number Matches - 1 1 1 1
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