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SD1219

TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,6.5A I(C),STX-8

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
ST(意法半导体)
Reach Compliance Code
compliant
最大集电极电流 (IC)
6.5 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
5
最高工作温度
175 °C
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
75 W
表面贴装
NO
标称过渡频率 (fT)
200 MHz
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参数对比
与SD1219相近的元器件有:SD1015、SD1224-2、SD1013-3、SD1219-5。描述及对比如下:
型号 SD1219 SD1015 SD1224-2 SD1013-3 SD1219-5
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,6.5A I(C),STX-8 RF POWER TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,5A I(C),SOT-121VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-123VAR RF POWER AMP TRANSISTOR, FT > 300 MHZ,STX-8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant not_compliant compliant
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO NO
最大集电极电流 (IC) 6.5 A 4 A 5 A 1 A -
配置 Single SINGLE Single Single -
最小直流电流增益 (hFE) 5 5 5 5 -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 200 °C -
最大功率耗散 (Abs) 75 W 40 W 60 W 13 W -
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 250 MHz - 250 MHz -
Base Number Matches - 1 1 1 -
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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