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SFI9Z24

Advanced Power MOSFET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Fairchild

厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Fairchild
零件包装代码
TO-262AA
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
161 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9.7 A
最大漏极电流 (ID)
9.7 A
最大漏源导通电阻
0.28 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-262AA
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
49 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
40 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与SFI9Z24相近的元器件有:SFW/I9Z24、SFW9Z24、SFWI9Z24。描述及对比如下:
型号 SFI9Z24 SFW/I9Z24 SFW9Z24 SFWI9Z24
描述 Advanced Power MOSFET Advanced Power MOSFET Advanced Power MOSFET Advanced Power MOSFET
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