SJTN0602N2,SJTN0602N2 pdf中文资料,SJTN0602N2引脚图,SJTN0602N2电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与SJTN0602N2相近的元器件有：TN0602N2、SXTN0602N2、SXVTN0602N2、SCTN0602N2、SXVTN0604N2、TN0604N2、SXTN0604N2、SCTN0604N2、SJTN0604N2。描述及对比如下：

型号	SJTN0602N2	TN0602N2	SXTN0602N2	SXVTN0602N2	SCTN0602N2	SXVTN0604N2	TN0604N2	SXTN0604N2	SCTN0604N2	SJTN0604N2
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V
最大漏极电流 (ID)	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A
最大漏源导通电阻	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
JEDEC-95代码	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	-	-	-	Supertex	Supertex	Supertex	Supertex	Supertex	Supertex	Supertex

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汽车自动驾驶未来如何的发展？毫米波雷达成最后一道防线

2002年创办华阳通用电子，2005年建立天派电子，2015年出任斑马网络CEO……今天，56岁的施雪松依然活跃在创业第一线，他的新身份是南京隼眼电子科技有限公司创始人兼董事长，在他的带领下，隼眼科技率先打破了Autoliv、Bosch等国际巨头的垄断，生动形象地书写了一部属于毫米波雷达的“大国崛起”。近日，《2019年南京市独角兽、瞪羚企业发展白皮书》发布，南京新增2家独角兽企业，20家...[详细]
800亿市值190倍市盈率科大讯飞如何证明自己

　　是分析师眼里的“AI技术执牛耳者”，被资本捧上神坛，市值一度飞升千亿;也曾被贬只是“财报上的小公司”，风险巨大。作为A股的“人工智能第一股”，科大讯飞 (002230.SZ)在享受光环的同时，也面临一个新的烦恼——如何在业绩上证明自己。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。　　就3月底发布的年报来看，科大讯飞 2017年的成绩单并不那么让人满意。业绩增长戛然而止，54.45亿...[详细]
现代或翻倍电动车续航里程 320公里对标特斯拉

据路透社报道，现代汽车计划在2018年推出一款续航里程达320公里（约200英里）的电动车，以与特斯拉等电动车制造商竞争。今年现代将推出IONIQ电动轿车，单次充电后续航里程近191公里（119英里），2018年推出的电动车续航里程达320公里，较前者几近翻倍。现代-起亚升级计划，表示到2020年将使旗下环保车型翻倍，达到28款，此前曾制定推出26款环保车的计划。 ...[详细]
非正弦波产生电路(矩形波产生电路-三角波产生电路)

在学习之前我们先来学习一下有关非正弦波形的一些知识。矩形波、锯齿波、三角波等非正弦波，实质是脉冲波形。我们一般用惰性元件电容C和电感L的充放电来实现。一：非正弦波产生电路它是由积分电路和滞回比较器电路组成的。积分电路的作用是产生暂态过程。滞回比较器起开关作用。即：通过开关的不断的闭合，来破坏稳态，产生暂态过程。（1）矩形波产生电路用滞回比较器作开...[详细]
美的欲拿下库卡八成以上股份，还有几道关要走？

最近，美的集团如约披露要约收购德国库卡集团结果。按照安排，本次要约收购期在德国时间7月15日24时截止，在此期间内，接受本次要约收购的库卡集团股份数量合计为2871万股，占库卡集团总股本的72.18%。本次要约收购前，美的集团已持有库卡集团13.51%股权，据此计算，公司持有库卡股份比例已达到85.69%。美的要约收购库卡的价格为115欧元/股，库卡100%股权估值约为45.74亿欧元，约...[详细]
导航仪电子狗如何升级

导航仪电子狗是一种安装在汽车里面的导航设备，主要的作用是为了提醒开车的人注意路况。导航仪电子狗是一种通过卫星接收信号来实现导航的，导航仪电子狗是可以进行更新升级的。因为我们的路况是随时都在变化的，导航仪电子狗如果不能及时的随着路况改变而升级，就会导致信息错误。那么接下来小编为大家分享导航仪电子狗的升级教程。导航仪电子狗的升级教程：　 1、不同的导航仪电子狗的升级方式是不一样的，最简单的升...[详细]
英诺达再发低功耗EDA工具，将持续在该领域发力

英诺达EnFortius®凝锋低功耗系列EDA软件又新增一款门级功耗分析工具GPA，该工具可以快速精确地计算门级功耗，帮助IC设计师对芯片功耗进行优化。（2023年4月25日，四川成都）英诺达（成都）电子科技有限公司发布了自主研发的门级功耗分析工具 EnFortius®凝锋 Gate-level Power Analyzer（GPA），该软件是英诺达继发布低功耗静态验证工具LPC之后...[详细]
通富微电去年净利下滑30.63%，上海贝岭出售苏州同冠7.8%股权

2月23日，通富微电发布业绩快报，公司2017年1-12月实现营业收入64.89亿元，同比增长41.32%；归属于上市公司股东的净利润1.25亿元，同比下降30.63%。通富微电表示，公司控股子公司南通通富、合肥通富处于初期量产阶段，营收规模增速低于预期，对公司整体业绩产生影响；同时，通富微电上量产品的基板供应商由于意外事故，造成基板供应脱节，影响了公司2017年第四季度业绩释放。据集微网了解，...[详细]
松下ATC采用泰克HDMI 1.4一致性测试解决方案

　　泰克公司日前宣布，为高清多媒体接口 (HDMI)提供行业测试的松下授权测试中心(ATC)已经选择泰克HDMI 1.4一致性测试解决方案。凭借泰克解决方案，松下ATC可以缩短执行HDMI一致性测试所需的工时，减少测试过程中可能发生的操作错误，最终加快HDMI标准产品的产品的上市速度。　　HDMI是业界领先电子公司为推广数字影音设备而开发的一项标准。它将监视器和影音设备之间的接口标准化，如机...[详细]
核心仍被外企掌控，凸显液晶面板配套国产化之急迫

7月底，广西晶联光电与深圳华星光电共同签署双方战略合作协议，并宣布晶联光电的ITO靶材在华星光电G4.5中试线的镀膜测试工作已于2017年上半年完成并顺利通过认证，后续双方将进一步深化在G8.5高世代TFT产线上的合作探讨，携手推进ITO靶材在新型显示面板产线的国产化配套应用。这是我国显示产业发展到今天，面板上下游企业互相促进的又一个努力。随着中国大陆在显示面板产业的布局和投资的加大，国际...[详细]
全球研发投资哪家强？美国最高中国第二韩国投资占比最高

BI中文站 10月17日报道如果可以选择的话，你是愿意作创新者还是被颠覆的对象？相信大多数人都会选择前者。但这并不容易，并不是说投入了资金就能从前瞻性愿景、新产品种类和即将到来的专利中受益。相反，一个组织必须主动从某个地方收购这种创新和智力资本才行。对于很多老牌公司来说，除了通过并购创新的初创公司之外别无选择，但这通常是以涨价为代价的。另一方面，对于科技、汽车和制药领域的公司来说，...[详细]
买手机陷圈套中关村卖场竟然还在骗？

很傻很天真前奏很愉快　　大约五年前的时候，智能手机还没有这么普遍，电商也没有这么发达的时候，笔者兴冲冲的来到中关村卖场买手机，在交钱之后被告知自己的手机可能“基带”脱落，需要每个月都来卖场刷机一次。这么麻烦的手机怎么用？连蒙带骗下，最后笔者买了一个低配的山寨智能手机，从此再也没有去过卖场买手机。现在想起来，“基带”脱落的说法真是可笑至极。买手机陷圈套中关村卖场竟然还在骗？　　如今电...[详细]
联发科释MT6592白皮书真八核实力仍待确认

联发科目前释出旗下「真八核心」处理器技术白皮书内容，说明旗下设计与竞争对手所采用4+4核心架构差异处，将可同时开启8组处理核心。不过，若就先前数据来看，联发科八核心架构其实均采用Cortex-A7设计，与竞争对手采Cortex-A7与Cortex-A15的组合不同。 8组低阶效能Cortex-A7核心组成「真八核心」根据联发科针对将于年底前推出的「真八核心」处理器MT6592所提供技...[详细]
高密度电子封装的最新进展和发展趋势

电子封装是连接半导体芯片和电子系统的一道桥梁，随着半导体产业的飞速发展及其向各行业的迅速渗透，电子封装已经逐步成为实现半导体芯片功能的一个瓶颈，电子封装因此在近二三十年内获得了巨大的发展，并已经取得了长足的进步。今日的电子封装不但要提供芯片万事保护，同时还要在一定的成本不满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等功能。电子封装的设计和制造对系统应用正变得越来越重要，电子封装的设计和制造从一开...[详细]
TE Connectivity设立可穿戴设备实验室

中国上海 — 2014 年 11 月 26 日 — 全球领先的连接解决方案供应商 TE Connectivity（纽约证券交易所上市代码：TEL）近日宣布其TE可穿戴设备实验室在加州门洛帕克正式成立。该实验室专注于消费、医疗、工业和防卫领域内的可穿戴技术，成为TE的工程师、科学家和客户团队在整个设计过程中的协作中心。 TE Connectivity消费类解决方案部总裁James O’T...[详细]