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Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称：TT Electronics plc
厂商官网：http://www.ttelectronics.com/
下载文档| 型号 | SML40J53 | SML40J53R3 |
|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 2500 mJ | 2500 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 400 V | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 53 A | 53 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.07 Ω | 0.07 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X4 | R-PUFM-X4 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 212 A | 212 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |